Bauteil-Isolierverfahren für Halbleiterbauteil,申请号DE1996103108-传众专利搜索

发明名称	Bauteil-Isolierverfahren für Halbleiterbauteil
摘要
申请公布号	DE19603108(A1)	申请公布日期	1997.02.13
申请号	DE1996103108	申请日期	1996.01.29
申请人	LG SEMICON CO., LTD., CHEONGJU, KR	发明人	LEE, CHANG-JAE, CHEONGJU, KR
分类号	H01L21/76;H01L21/762;H01L21/763;H01L27/08;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/762;H01L21/316	主分类号	H01L21/76
代理机构		代理人
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