天线,平面倒F天线(PIFA)及其制造方法,及具有PIFA之无线电系统BROADBAND PLANAR INVERTED F ANTENNA

摘要

一种单频平面倒F天线(PIFA)结构，包括一具有第1区域之平面辐射元件；及一具有第2区域之接地面，该第2区域实质上系平行于该辐射元件之第1区域。一导电性第1线系在位于幅射元件一缘部之一第1接点处，耦合于辐射元件。第1线系耦合于接地面。一导电性第2线系在位于循沿该第1线之相同侧、该第1接点所位设缘部之不同位置的一第2及一第3接点处，耦合于辐射元件。因导电性第2线系以复数接点位置耦合于辐射元件，故可增加 PIFA之有用性频带宽。第1及第2线均系配设为可作耦合之所希的阻抗，例如，在PIFA之动作频率下，约为50欧姆。

主权项

1.一种天线,包括: 一具有第1平面及第1区域之接地面; 一具有第2平面及第2区域之辐射元件; 其中该辐射元件之第2平面及该接地面之第1平面 系实质地平行; 一第1连接线,系耦合于该接地面之第1缘部及在一 第1接点位置耦合于该辐射元件之第2缘部;及 一第2连接线,系在一第2接点位置及一第3接点位置 耦合于该辐射元件之第2缘部。 2.如申请专利范围第1项之天线,其中该接地面之第 1区域系大于该辐射元件之第2区域。 3.如申请专利范围第1项之天线,其中该接地面之第 1区域实质上系相同于该辐射元件之第2区域。 4.如申请专利范围第1项之天线,其中第1接点位置 系位在第2及第3接点位置之间。 5.如申请专利范围第1项之天线,其中又包括:第2连 接线系在复数个接点位置耦合于该辐射元件之第2 缘部。 6.如申请专利范围第1项之天线,其中该第1及第2连 接线均系配设为所希之阻抗。 7.如申请专利范围第6项之天线,其中该所希之阻抗 约为50欧姆。 8.如申请专利范围第6项之天线,其中该所希之阻抗 约为50至约70欧姆。 9.如申请专利范围第6项之天线,其中该所希之阻抗 约自20至300欧姆。 10.如申请专利范围第1项之天线,其中辐射元件系 以导电性材料制成。 11.如申请专利范围第10项之天线,其中该导电性材 料系由:铜、铝、不锈钢、青铜暨其合金、绝缘基 板上之铜箔、绝缘基板上之铝箔、绝缘基板上之 金箔、镀银铜、绝缘基板上之镀银铜箔、绝缘基 板上之银箔及镀锡铜、石墨填充布、石墨被覆之 基板、镀铜基板、镀青铜基板及镀铝基板等所组 成之组群中选取。 12.如申请专利范围第1项之天线,其中该接地面系 由导电性材料制成。 13.如申请专利范围第12项之天线,其中该导电性材 料系由:铜、铝、不锈钢、青铜及其合金、绝缘基 板上之铜箔、绝缘基板上之铝箔、绝缘基板上之 金箔、镀银铜、绝缘基板上之镀银铜箔、绝缘基 板上之银箔及镀锡铜、石墨填充布、石墨被覆之 基板、镀铜之基板、镀青铜之基板及镀铝之基板 等所组成之组群中选取。 14.如申请专利范围第1项之天线,其中该接地面系 位在一绝缘基板之一侧而该辐射元件则系位在绝 缘基板之另侧。 15.如申请专利范围第14项之天线,其中该接地面、 该绝缘基板及该辐射元件均为挠性。 16.如申请专利范围第1项之天线,其中该接地面之 第1区域及该辐射元件之第2区域为矩形。 17.如申请专利范围第1项之天线,其中该接地面之 第1区域及该辐射元件之第2区域为非矩形。 18.如申请专利范围第1项之天线,其中又包括至少 一开孔,系设于该辐射元件中,用以装设至少一机 械性支持件之配件。 19.如申请专利范围第1项之天线,其中又包括至少 一开孔,系设于该接地面中,用以装设至少一机械 性支持件之配件。 20.一种平面倒F天线,包括: 一具有第1平面及第1区域之接地面; 一具有第2平面及第2区域之辐射元件; 其中该辐射元件之第2平面与该接地面之第1平面 两者系实质地平行; 一第1连接线,系耦合于该接地面之一缘部及该辐 射元件之一缘部;及 一第2连接线,系在第1连接线耦合于该处之任何一 侧处耦合于该辐射元件之缘部。 21.一种平面倒F天线,包括: 具有第1平面、第1圆周及第1圆周上之第1多数缘部 等之接地面; 具有第2平面、第2圆周及第2圆周上之第2多数缘部 等之辐射元件; 该辐射元件之第2平面与该接地面之第1平面两者 系实质地平行; 一第1连接线,系耦合于第1多数缘部中之第1缘部及 第2多数缘部中之第1缘部;及 一第2连接线,系在第1连接线之任何一侧上耦合于 第2多数缘部中之第1缘部。 22.一种制造宽频带平面倒F天线之方法,其包括之 步骤为: 在一第1平面上形成接地面; 在一第2平面上形成辐射元件,其中第2平面与第1平 面系实质地平行; 在一第1接点位置将一第1连接线耦合于接地面之 第1缘部及辐射元件之第2缘部;及 在第2及第3接点位置将一第2连接线耦合于辐射元 件之第2缘部。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中第1接点位置 系位在第2及第3接点位置之间。 24.如申请专利范围第22项之方法,其中又包括在复 数个接点位置将第2连接线耦合于该辐射元件之第 2缘部的步骤。 25.一种具有平面倒F天线(PIFA)之无线电系统,该系 统包括: 一具有第1平面与第1区域之接地面; 一具有第2平面与第2区域之辐射元件; 其中该辐射元件之第2平面与该接地面之第1平面 系实质地平行; 一第1连接线,系耦合于该接地面之第1缘部及在第1 接点位置耦合于该辐射元件之第2缘部;及 一第2连接线,系在一第2接点位置及一第3接点位置 ,耦合于该辐射元件之第2缘部,且第1和第2连接线 系以所希的阻抗配置为耦合至一无线电。 26.如申请专利范围第25项之无线电系统,其中该无 线电系统为行动电话系统之一部分。 图式简单说明: 第1图为习用平面倒F天线(PIFA)概略图。 第2图为依本发明平面倒F天线(PIFA)之一代表性实 施例概略图。 第3A及3B图为具有略为不同动作之谐振频率之PIFA 型平面图。 第3C图为依本发明一代表性实施例,由第3A及3B两图 所示之PIFA型体予以组合成一宽频带PIFA型体之概 略图。 第4图为依本发明之一特定实施例,其对PIFA之性能 频带宽相较于习用PIFA之改善状况曲线说明图。