| 主权项 |
1.一种基准电流产生电路,其特征具备有:基准电压产生电路,用来产生基准电压;梯形电阻,用来对上述基准电压产生电路之输出电压进行分压;控制电路,被连接到上述梯形电阻之预先所定指定数之分接头其控制方式是对上述基准电压产生电路之输出电压进行分压,输入将分压所成之分接头电压为输入藉以输出被选择所定之电压;以及MOS电晶体,其闸极被输入有上述控制电路之输出电压,其源极被连接到一电源端子,以吸极流动之电流当作输出电流而被取出。2.如申请专利范围第1项之基准电流产生电路,其中该控制电路,由被配置在上述梯形电阻之上述分接头和上述MOS电晶体闸极之间之多个开关用电晶体所成,其构成方式是依照施加在上述MOS电晶体闸极之电压,以选择性的控制上述多个开关用电晶体之导通状态,藉以将上述梯形电阻之一分接头电压供给到上述MOS电晶体之闸极。3.如申请专利范围第2项之基准电流产生电路,其中该多个开关用电晶体,被配置在上述梯形电阻之上述分接头和上述MOS电晶体闸极之间,配设成树状构造。4.如申请专利范围第1或2项之基准电流产生电路,其中该基准电压产生电路中之上述基准电压之电压微调用之梯形电阻,同时被使用作为对上述基准电压产生电路之输出电压进行分压之上述梯形电阻。5.一种基准电流产生电路,其特征具备有:基准电压产生电路,用来产生基准电压;梯形电阻,其一端被连接到上述基准电压产生电路之输出端子,其另外一端被连接到第1电源端子,用来从上述基准电压产生电路之输出电压进行分压;控制电路,被连接到上述梯形电阻之预先所定所定数之分接头,其控制分式是输入被上述梯形电阻分压之上述分接头之电位藉以输出所定电压;以及NMOS电晶体,其源极被连接到上述之第1电源端子,将上述控制电路之输出电压输入到闸极,在其吸极流动之电流当作输出电流而被取出。6.一种基准电流产生电路,其特征具备有:基准电压产生电路,用来产生基准电压;梯形电阻,其一端被连接到上述基准电压产生电路之输出端子,其另外一端被连接到第1电源端子,用来对上述基准电压产生电路之输出电压进行分压;控制电路,被连接到上述梯形电阻之预先所定所定数之分接头,其控制分式是输入被上述梯形电阻分压之上述分接头之电位藉以输出所定电压;和PMOS电晶体,其源极被连接到上述第2电源端子,上述控制电路之输出电压输入到其闸极,将其吸极流动之电流当作输出电流而被取出。7.如申请专利范围第5项之基准电流产生电路,其中该控制电路,具备有多个NMOS电晶体被配置在上述梯形电阻之上述分接头和上述NMOS电晶体之闸极端子间配设成树状构造,利用控制输入信号来控制ON/OFF。8.如申请专利范围第6项之基准电流产生电路,其中该控制电路,具备有多个NMOS电晶体被配置在上述梯形电阻之上述分接头和NMOS电晶体闸极端子之间配设成树状构造,利用控制输入信号来控制ON/OFF。9.如申请专利范围第4项之基准电流产生电路,其中该基准电压产生电路包含有差动放大器,在非反相输入端施加有所定之电位,其输出端连接到上述梯形电阻之一端,用来将上述梯形电阻所定之分压电位回馈输入到反相输入端。10.如申请专利范围第1至3项任何一项之基准电流产生电路,其中构成方式是上述MOS电晶体之吸极连接到电流镜电路之输入端,从该电流镜电路之输出端取出输出电流。11.如申请专利范围第4项之基准电流产生电路,其中构成方式是上述MOS电晶体之吸极连接到电流镜电路之输入端,从该电流镜电路之输出端取出输出电流。12.如申请专利范围第5至8项任何一项之基准电流产生电路,其中构成方式是上述MOS电晶体之吸极连接到电流镜电路之输入端,从该电流镜电路之输出端取出输出电流。13.如申请专利范围第9项之基准电流产生电路,其中构成方式是上述MOS电晶体之吸极连接到电流镜电路之输入端,从该电流镜电路之输出端取出输出电流。图式简单说明:第一图表示本发明一实施形态之基准电流产生电路之构成。第二图表示本发明一实施形态之基准定流产生电路详细构成之一实施例。第三图表示本发明一实施形态之基准电流产生电路详细构成之一变形例。第四图表示习知之定电流电路之构造。 |
