一种MOSFET半导体及其制造方法

摘要

本发明描述一种超薄可测量MOSFET晶体管及制造方法。该晶体管的特征是完全自对准、SOI晶片上抬升的源/漏结，并且显示出低接触电阻、低栅电阻和良好的器件隔离特征。除了传统处理所需要的步骤之外，不需要额外的光刻掩模步骤。该晶体管被STI(浅沟槽隔离)完全“框入”或者包围，在它与SOI晶片上任何其它器件之间提供了内在隔离。在栅区域的外部形成了栅侧壁隔离物，从而比例缩放度唯一地受光刻分辨率限制。

主权项

1.一种形成MOSFET半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底包括埋置绝缘层、位于埋置绝缘层上面的薄硅层和覆盖在薄硅层上面的硬抛光停止层；形成绝缘区域，其包围和限定MOSFET器件的有源区域；选择地腐蚀掉抛光停止层，从而暴露出薄硅层的源/漏区域；注入薄硅层暴露出的源/漏区域，从而形成源/漏结；沿着绝缘材料的垂直侧壁和源/漏区域之间的抛光停止层的垂直侧壁形成包围该源/漏区域的侧壁隔离物；沉积掺杂硅，从而抬升源/漏结；在抬升的源/漏结的顶部形成源/漏硅化物导体；在源/漏硅化物导体上形成保护帽；除去源/漏区域之间的抛光停止层，从而形成栅开口；在薄硅层中形成沟道；在栅开口中形成薄栅电介质；和在位于栅电介质上面的栅开口中形成栅导体。