具有增加电容用渠沟场电极板之静态随机存取记忆单元及其制法

摘要

一种静态随机存取记忆体(SRAM)单元(cell)，利用在渠沟中的电容性结构，使此单元能在储存节点处具有增强单元电容。该电容性结构包含位于多晶矽插塞(plug)或钨插塞之下的氧化物衬垫(liner)。此多晶矽插塞各自与伴随之静态随机存取记忆体单元的横向(lateral)电晶体之汲极隔离。该电容性结构位于伴随之静态随机存取记忆体单元之第一与第二N通道下拉(pull down)电晶体之间。在形成此单元局部内连接之时，可提供此多晶矽插塞。此多晶矽材料或插塞与半导体基座耦合。

主权项

1.一种内含一C型本体构件而具有沿此构件由一较宽端端延伸至较窄端之两个相背的拱形耳部,如此所形成之改良式电气导线连接器中,其较宽之一端形成为可接纳一个具有两个背向之收敛侧面的楔形构件,该等侧面为电线接纳槽分别联合两个拱形耳部之一与其相应者,并可藉由一个接在该楔形构件与该C型本体构件间之驱动螺栓使之作动,于二者受压缩时可使互相连接于该楔形构件与该C型构件间之未绝缘导体,沿该电线接纳槽接纳;如此所成之电气连接器中,其特征为:该C型本体构作在内侧凸缘具备一包含螺纹之螺栓接纳孔侧,该楔形构件内侧包括一内有插孔之横向凸缘而该驱动螺栓之螺纹柄部贯穿其间并延伸之,可藉以与该是有螺纹之螺栓接纳孔作螺纹式囓合,以及该楔形构件之内侧面包括一可接纳朝内之凸缘及该螺栓柄之朝内槽沟,其可容许该楔形构件沿该C型本体构件自由移动,并可以压缩方式将两个导体连接于该C型本体构件与该楔形构件之间者。图式简单说明:第一图为装配完成之习知技术之连接器侧视图。第二图为第一图之俯视图。第三图系沿着第一图所示连结器之线3-3之剖面图。第四图为本发明连接器之放大透视图,并切除其中一部份之视图。第五图为第四图中二个导体相接之连接器装配完成之视图。第六图为第五图装配完成之连接器侧视图。第七图为沿第五图之线7-7之剖面侧视图。