一种辐射能量转换芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种辐射能量转换芯片的制作方法，包括如下步骤：(1)制作具有一定开口面积比和深度的p-型宏多孔硅阵列；(2)对硅进行扩磷获得一层浅结；(3)去除一定厚度的背面硅；(4)在正反面分别淀积一层金属，金属层厚度在0.3微米至1微米之间，然后在400℃温度下，退火5～30分钟，即制得本发明的核电池芯片。本发明主要的方法就是采用电化学刻蚀方法，深宽比已经可以达到或超过150。而将这种工艺应用于核电池中的微孔阵列的制作，大幅度提高了电池的性能以及制造的成品率，并且可以大大降低因孔结构的随机分布而导致的pn结被击穿，从而破坏整个电池。

主权项

1、一种辐射能量转换芯片的制作方法，包括如下步骤：(1)制作具有一定开口面积比和深度的p-型宏多孔硅阵列：选择电阻率在1～30Ω·cm的p-型硅片，采用SiO2或Si3N4作为掩模层，用光刻方法在掩模层刻出均匀分布的方形孔结构，孔与孔中心距离为4—6微米；对所开孔进行刻蚀使所开的窗口变成倒金字塔结构，然后再进行阳极氧化，阳极氧化的电流强度控制在3～10mA/cm2，温度为室温；(2)对硅进行扩磷获得一层浅结：首先在950℃通过PClO2的分解淀积磷，再进行快速热退火，一般选取温度为950～1000℃，退火时间为5～20分钟；(3)去除一定厚度的背面硅：扩磷之后在正面得到有效保护的情况下，采用25wt％四甲基氢氧化铵在85℃温度下腐蚀3～5分钟，然后用H2SO4/H2O2清洗；(4)在正反面分别淀积一层金属，金属层厚度在0.3微米至1微米之间，然后在400℃温度下，退火5～30分钟，即制得本发明的核电池芯片。