| 发明名称 | 磁控溅射设备和薄膜制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种磁控溅射设备和薄膜制造方法。在本发明中，在通过磁控溅射的LaB<sub>6</sub>薄膜的形成中，提高了所获得的LaB<sub>6</sub>薄膜中宽区域方向上的单晶特性。在本发明的一个实施例中，在磁控溅射设备中，基板表面上的平行磁场强度被设置为靶材表面上的平行磁场强度的0.1倍以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101586229A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200910202958.8 | 申请日期 | 2009.05.22 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 堀口青史 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C30B25/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;陈立航 |
| 主权项 | 1.一种磁控溅射设备，包括：基板座，其能够保持基板；磁控阴极，其具有能够安装靶材的阴极；以及磁场发生设备，其中，所述基板的表面上的平行磁场强度被设置为所述靶材的表面上的平行磁场强度的0.1倍以下，所述平行磁场强度的单位为高斯。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||