发明名称 |
使用从惰性气体形成的亚稳态体的原子层蚀刻 |
摘要 |
本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室,该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体,且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体,然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层,同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。 |
申请公布号 |
CN105679632A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201610031466.7 |
申请日期 |
2012.07.11 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
哈梅特·辛格 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
樊英如;李献忠 |
主权项 |
一种具有用于蚀刻在衬底上的层的衬底处理室的衬底处理系统,其包含:卡盘,在所述蚀刻过程中所述衬底被布置在其上;分隔板结构,其将所述室分隔成等离子体产生区域和衬底处理区域;等离子体源,其用于在所述等离子体产生区域中产生等离子体;以及逻辑器,其用于:将第一气体引入所述室,所述气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体,允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间,用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体,从所述惰性气体产生亚稳态体,以及用所述亚稳态体蚀刻所述层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |