| 发明名称 | 一种硫化铋半导体薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜，该方法操作简单、成本低、重现性好、易于大规模连续生产，该方法可以控制硫化铋薄膜厚度以及硫化铋薄膜大面积连续致密生长，制备的硫化铋半导体薄膜厚度均匀、结晶性好、连续致密，且具有良好的光电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105692696A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610065059.8 | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 蒋良兴;汪颖;陈建宇;刘芳洋;孙凯乐;赖延清 |
| 分类号 | C01G29/00(2006.01)I;C02F1/30(2006.01)I;C02F101/30(2006.01)N | 主分类号 | C01G29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人 | 魏娟 |
| 主权项 | 一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，其特征在于：将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜。 | ||
| 地址 | 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号 | ||