发明名称 电极和包括其的电子器件
摘要 本发明涉及电极和包括其的电子器件,所述电极为具有改性以具有高功函数的表面的石墨烯电极。
申请公布号 CN102800810B 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201210167769.3 申请日期 2012.05.28
申请人 浦项工科大学校产学协力团 发明人 李泰雨;韩太熙;安钟贤;李荣彬;禹成勋
分类号 H01L51/00(2006.01)I 主分类号 H01L51/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 金拟粲
主权项 有机发光器件,包括:基底;在所述基底上形成的用于注入空穴的第一电极;在所述第一电极上形成的用于传输所述空穴的空穴传输层;在所述空穴传输层上形成的用于发射光的发射层;在所述发射层上形成的用于将电子传输至所述发射层的电子传输层;在所述电子传输层上形成的用于将所述电子传输至所述电子传输层的电子注入层;和在所述电子注入层上形成的第二电极;其中所述第一电极具有:含石墨烯的层、和形成于所述含石墨烯的层上的具有功函数梯度的层,所述具有功函数梯度的层为具有导电材料和低表面能材料的单层;其中所述具有功函数梯度的层包括与所述含石墨烯的层接触的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面,其中通过所述导电材料和所述低表面能材料的自排列,所述低表面能材料的浓度在从所述具有功函数梯度的层的第一表面到所述具有功函数梯度的层的第二表面的方向上逐渐升高,其中所述具有功函数梯度的层的功函数在从所述具有功函数梯度的层的第一表面到所述具有功函数梯度的层的第二表面的方向上逐渐升高,其中所述导电材料的浓度在从所述第二表面到所述第一表面的方向上逐渐升高,其中所述含石墨烯的层进一步包含p‑型掺杂剂。
地址 韩国庆尚北道