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发明名称 Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitridschichten auf Halbleitermaterial durch Abscheiden aus der Gasphase
摘要
申请公布号 DE1281770(B) 申请公布日期 1968.10.31
申请号 DE196700V3934 申请日期 1967.06.23
申请人 VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT/ODER 发明人 SCHNABEL DIPL.-PHYS. HANS-JOACHIM;FLEISCHER FRITZ
分类号 H01L21/318 主分类号 H01L21/318
代理机构 代理人
主权项
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