| 主权项 |
1.一种半导体雷射晶片,其系包含有:一第一垂直腔表面发射雷射,制作在一基底单元上,会产生一短波长之发射;以及一第二垂直腔表面发射雷射,制作在该基底单元上,并且与该第一垂直腔表面发射雷射单石集积化在一起,该第二垂直腔表面发射雷射会产生比第一垂直腔表面发射雷射的波长还要长的发射。2.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射晶片,其中该基底单元在其上形成一最上面的表面,一第一DBR反射镜堆叠。3.如申请专利范围第2项所述之半导体雷射晶片,其中该第一DBR反射镜堆叠包含复数层由AlAs材料与AlGaAs材料相互轮替构成的结构。4.如申请专利范围第3项所述之半导体雷射晶片,其中该第一垂直腔表面发射雷射包含一主动区,安置在该第一DBR反射镜堆叠上,而且该第二垂直腔表面发射雷射包含一主动区,安置在该第一DBR反射镜堆叠上。5.如申请专利范围第4项所述之半导体雷射晶片,其中该第一垂直腔表面发射雷射的该主动区包含InGaP/AlGaInP/AlInP的材料系统。6.如申请专利范围第4项所述之半导体雷射晶片,其中该第二垂直腔表面发射雷射的该主动区包含Al0.1GaAs/Al0.4GaAs/Al0.6GaAs的材料系统。7.如申请专利范围第4项所述之半导体雷射晶片,其中该第一垂直腔表面发射雷射包含第二DBR反射镜堆叠,安置在该主动区上,而该第二垂直腔表面发射雷射包含第二DBR反射镜堆叠,安置在该主动区上。8.如申请专利范围第7项所述之半导体雷射晶片,其中该第一垂直腔表面发射雷射的该主动区以及该第一与第二DBR反射镜堆叠,都被设计成来发射波长在大约635至670nm范围的光。9.如申请专利范围第7项所述之半导体雷射晶片,其中该第二垂直腔表面发射雷射的该主动区以及该第一与第二DBR反射镜堆叠,都被设计成来发射波长在大约750至830nm范围的光。10.一种制造一半导体雷射晶片的方法,该方法系包含有以下步骤:提供一基底,在其上形成一第一反射镜堆叠;将一第一主动区与一第二反射镜堆叠安置在一部分的该第一反射镜堆叠上,该部分的该第一反射镜堆叠,主动区以及第二反射镜堆叠则定义出一第一垂直腔表面发射雷射,设计成发射出短波长光;以及将一第二主动区与一第二反射镜堆叠安置在另一部分的该第一反射镜堆叠上,该部分的该第一反射镜堆叠,主动区以及第二反射镜堆叠则定义出与该第一垂直腔表面发射雷射相间隔开的一第二垂直腔表面发射雷射,该第二垂直腔表面发射雷射被设计成能发射出比该第一垂直腔表面发射雷射所发射出光的波长还要长的光。图式简单说明:第一图是依据本发明在基底单元上所制造的短波长VCSEL的剖示图;第二图是说明制造单石集积垂直表面发射雷射方法中制程步骤的剖示图,其中该垂直表面发射雷射包含依据本发明的一短波长VCSEL与一长波长VCSEL;第三图是说明制造单石集积垂直表面发射雷射方法中制程步骤的剖示图,尤其是在短波长VCSEL与长波长VCSEL上沉积出第二反射镜堆叠;第四图是说明包含依据本发明单石集积短波长VCSEL与长波长VCSEL的整个半导体雷射装置剖示图;以及第五图是显示反射百分率对本发明半导体雷射晶片光波长的图式。 |
