ETCHING METHOD FOR SILICON MATERIAL TO BE ETCHED,申请号JP19900047074-传众专利搜索

发明名称	ETCHING METHOD FOR SILICON MATERIAL TO BE ETCHED
摘要
申请公布号	JPH03248531(A)	申请公布日期	1991.11.06
申请号	JP19900047074	申请日期	1990.02.27
申请人	SONY CORP	发明人	TATSUMI TETSUYA;KADOMURA SHINGO
分类号	H01L21/302;H01L21/3065	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
主权项
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