Maskenstruktur und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Verwendung der Maskenstruktur

摘要

Die Erfindung betrifft eine Maskenstruktur mit einer lichtdurchlässigen Trägerplatte und n Gruppen von Bauelementstrukturen, die auf der lichtundurchlässigen Trägerplatte gebildet sind (wobei n eine ganze Zahl von nicht weniger als 2 ist), zur Realisierung einer lithographischen Maskenstruktur mit lichtdurchlässigen Bereichen und lichtdurchlässigen Bereichen, wobei wenigstens ein Teil wenigstens eines der lichtundurchlässigen Bereiche eine Größe hat, die durch einen der daran angrenzenden lichtdurchlässigen Bereiche definiert ist, mit dem Kennzeichen, daß die n Gruppen von Bauelementstrukturen periodisch auf der Trägerplatte angeordnet sind; daß wenigstens eine Gruppe der n Gruppen von Bauelementstrukturen mit einer Phasenverschiebungsstruktur versehen ist; und daß jede Bauelementstruktur der n Bauelementstrukturgruppen eine lichtdurchlässige Teilstruktur enthält, wobei jede dieser lichtdurchlässigen Teilstrukturen, die in einer der n Bauelementstrukturgruppen enthalten sind, mit wenigstens einer lichtdurchlässigen Teilstruktur, die in wenigstens einer der übrigen Bauelementstrukturgruppen enthalten ist, durch n-faches Durchlassen eines Belichtungsstrahls durch die Maskenstruktur kombinierbar ist, sowie die Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels dieser Maskenstruktur.