| 主权项 |
1.一种液晶显示板,包含有:第一与第二基片乃相互反向;一液晶插设于该等第一与第二基片之间;该第一基片具有诸滙流线、活性元件、影像电极及一第一校整薄膜;该第二基片具有一普通电极及一第二校整薄膜;而其中该等第一与第二基片皆被处理成使靠近于各校整薄膜之液晶分子可被定位于一预定方向,且该第一与第二校整薄膜中至少有一者,其至少有一部份被处理而改变其表面状态以抑止液晶分子的移动。2.如申请专利范围第1项之液晶显示板,其中用以改变该等校整薄膜之表面状态的处理系藉照射紫外线来实施。3.如申请专利范围第2项之液晶显示板,其中紫外线之照射系以保持不低于2500mJ(毫焦)的能量来实施。4.如申请专利范围第1项之液晶显示板,其中用以改变该等校整薄膜之表面状态的处理系藉改变校整薄膜之材料来实施。5.如申请专利范围第1项之液晶显示板,其中之定向处理系藉摩擦来实施。6.如申请专利范围第5项之液晶显示板,其中之定向处理系在改变所述校整薄膜之表面状态的处理之后才实施者。7.如申请专利范围第1项之液晶显示板,其中用以改变至少一校整薄膜之表面状态的处理系被实施于该第一与第二基片两者。8.如申请专利范围第7项之液晶显示板,其中用以改变至少一校整薄膜之表面状态的处理,系藉改变该第一校整薄膜之部份表面状态及该第二校整薄膜之部份表面状态来实施。9.如申请专利范围第8项之液晶显示板,其中该第一校整薄膜被处理的部份系对齐于该第二校整薄膜未被处理的部份,而该第一校整薄膜未被处理的部份则对齐于该第二校整薄膜被处理的部份。10.如申请专利范围第1项之液晶显示板,其中用以改变至少一校整薄膜之表面状态的处理,系被实施于该第一与第二校整薄膜其中之一者。11.如申请专利范围第10项之液晶显示板,其中用以改变至少一校整薄膜之表面状态的处理,系被实施于该第一与第二校整薄膜其中之一的整体表面上。12.如申请专利范围第10项之液晶显示板,其中用以改变至少一校整薄膜之表面状态的处理,系被实施于该第一或第二校整薄膜两者之一的部份表面上。13.如申请专利范围第1项之液晶显示板,其中用以改变至少一校整薄膜之表面状态的处理,系被实施于该第一或第二校整薄膜两者至少其一之横亘多数像元区域的系纹状部份。14.如申请专利范围第1项之液晶显示板,其中用以改变至少一校整薄膜之表面状态的处理,系被实施于覆盖所述滙流线的区域,而该像元区域则未受到该用以改变所述校整薄膜之表面状态的处理。15.如申请专利范围第1项之液晶显示板,其中在该第一与第二基片之间系插设着垫物。图式简单说明:第一图A至第一图C系为本发明的实施例之校整薄膜的表面处理示意图;第二图系为该液晶显示板之剖视图;第三图系为该具有诸电极与校整薄膜之液晶显示板的剖视图,乃示出第二图的详细结构;第四图系为活性基体驱动结构的示意图;第五图系为该液晶显示板的平面图,表示该不规则图案出现在显示板上;第六图系为一剖视图示出形成于普通电极、影像电极及闸极滙流线之间的电场;第七图系为该间隙与不规则图案出现在显示板上的时间之间的关系图;第八图为该液晶显示板之制造方法的流程图;第九图系为表面处理之紫外线曝晒量与不规则图案出现在显示板上的时间之间的关系图;第十图A及第十图B系为另一种校整薄膜之表面处理例子的示意图;第十一图A及第十一图B系为又另一种校整薄膜之表面处理例子的示意图;第十二图A及第十二图B系为再一种校整薄膜之表面处理例子的示意图;第十三图A及第十三图B系为又一种校整薄膜之表面处理例子的示意图;第十四图A及第十四图B系为又再一种校整薄膜之表面处理例子的示意图;第十五图A及第十五图B系为又再另一种校整薄膜之表面处理例子的示意图;第十六图A及第十六图B系为又再另一种校整薄膜之表面处理例子的示意图;第十七图A及第十七图B系为又再另一种校整薄膜之表面处理例子的示意图;及第十八图系为依据本发明之另一实施例的液晶显示板之剖视图。 |
