| 主权项 |
1.一种发射可见光之垂直腔表面发射雷射,此垂直腔表面发射雷射包含:一种磷化铟镓基板;一种配置于磷化铟镓基板上的第一镜面积层;一种配置于第一镜面积层上的第一镀层区域;一种配置于第一镀层区域上的磷化铟镓作用区域,此磷化铟镓作用区域至少包含一个量子井;一种配置于作用区域上的第二镀层区域;一种配置于第二镀层区域上的第二镜面积层。2.根据申请专利范围第1项之垂直腔表面发射雷射,其中磷化铟镓基板包含Ga.75In.25P。3.根据申请专利范围第1项之垂直腔表面发射雷射,其中作用区域、第一镜面积层与第二镜面积层形成的构造可发射的雷射光波长范围大约是635毫微米至650毫微米,第一镜面积层与第二镜面积层包含一些交错镀层,这些交错镀层包含一种磷化铟铝物质与一种磷化铟镓。4.根据申请专利范围第1项之垂直腔表面发射雷射,其中至少一个量子井形成的构造具有的一个直接能隙大约是1.9电子伏特。5.根据申请专利范围第1项之垂直腔表面发射雷射,其中至少一个量子井包含Ga.5In.5P,以及作用区域进一步包含一些能障层,这些能障层包含(AlxGal-x).75In.25P。6.根据申请专利范围第1项之垂直腔表面发射雷射,其中第一镀层区域与第二镀层区域包含一种磷化铟镓物质Al.75In.25P。7.一种制造发射可见光之垂直腔表面发射雷射的方法包含下列几个步骤:提供一个具有表面的磷化铟镓基板;在这个表面磊晶长成一个第一镜面积层;在第一镜面积层上磊晶长成第一镀层区域;在第一镀层区域上磊晶长成一个具有量子井的磷化铟镓作用区域;在磷化铟镓作用区域上磊晶长成一个第二镀层区域;在第二镀层区域上磊晶长成第二镜面积层。8.根据申请专利范围第7项中之垂直腔表面发射雷射的方法,其中磊晶长成一个磷化铟镓作用区域的步骤包含磊晶长成GaIn.5P形成的量子井。9.根据申请专利范围第7项中之垂直腔表面发射雷射的方法,其中磊晶长成一个磷化铟镓作用区域的步骤包含磊晶长成一些(AlxGal-x).75In.25P形成的能障层。10.根据申请专利范围第7项中之垂直腔表面发射雷射的方法,其中磊晶长成一个磷化铟镓作用区域的步骤包含磊晶长成一些Al.75In.25P形成的镀层。图式简单说明:第一图是根据本发明中一个垂直腔表面发射雷射的截视图;第二图根据本发明中一个垂直腔表面发射雷射之作用区域的截视图;以及第三图是根据本发明中第一图的垂直腔表面发射雷射内部作用区域的不同物质之间直接能隙的图示说明。 |
