一种掩模板和光刻系统

摘要

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种掩模板和光刻系统。该掩模板，用于通过光刻工艺在基板上方形成结构图形，所述基板上方具有处于非同一平面的既有结构图形，所述掩模板包括基体，根据所述既有结构图形相对于所述基板的基准表面的高度差，所述掩模板相对于所述基体的基准面在对应区域具有与所述既有结构图形对应成正比的厚度差，使得所述掩模板具有与所述基板相似的起伏形貌的表面。该掩模板能有效调节光刻工艺中局部曝光能量与曝光解析率，进而提高了曝光精度。

主权项

一种掩模板，用于通过光刻工艺在基板上方形成结构图形，所述基板上方具有处于非同一平面的既有结构图形，其特征在于，所述掩模板包括基体，根据所述既有结构图形相对于所述基板的基准表面的高度差，所述掩模板相对于所述基体的基准面在对应区域具有与所述既有结构图形对应成正比的厚度差，使得所述掩模板具有与所述基板相似的起伏形貌的表面。