| 摘要 |
高融点半田で実装可能なレーザダイオード用ペルチェモジュールを提供する。レーザダイオード用ペルチェモジュール（１０）は、放熱側の基板（１ａ）と、放熱側の電極（２ａ）と、ｐ型熱電変換素子（３ａ）およびｎ型熱電変換素子（３ｂ）と、接合半田層（４）と、Ｎｉを含む層（５）とを備えている。接合半田層（４）は、放熱側の電極（２ａ）とｐ型熱電変換素子（３ａ）およびｎ型熱電変換素子（３ｂ）との間に配置され、かつＡｕ及びＳｎを含むＮｉ金属間化合物（４１）と、Ａｕ５Ｓｎ金属間化合物（４２）と、Ａｕ５Ｓｎ金属間化合物およびＡｕＳｎ金属間化合物を含む共晶組成（４３）とを有する。Ｎｉを含む層（５）は、接合半田層（４）と放熱側の電極（２ａ）との間および接合半田層（４）とｐ型熱電変換素子（３ａ）およびｎ型熱電変換素子（３ｂ）との間にそれぞれ配置されている。接合半田層（４）の共晶比率は１５.１％以下である。 |
