| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构之制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:a.提供一基底;b.在该基底上形成一罩幕层;c.定义该罩幕层,在该基底上形成一开口;d.在该开口及该罩幕层表面形成一绝缘层;e.在该绝缘层上形成一可流动式介电材料层;f.去除部份该绝缘层及该可流动式介电材料层,以暴露出该罩幕层表面;以及g.去除该罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该步骤a之后,该步骤b之前,更包括在该基底上形成一垫氧化物层的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,该垫氧化物层以热氧化法形成。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该罩幕层为氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该步骤c之后,该步骤d之前,更包括在该开口表面形成一衬氧化物层的步骤。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中,该衬氧化物层以热氧化法形成。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该绝缘层材料为氧化物。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该可流动式介电材料层具有可流动的性质。9.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,该可流动式介电材料层系为SOG。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该步骤f以化学机械研磨法去除部份该绝缘层及可流动式介电材料层。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中,化学机械研磨法之蚀刻终点为该罩幕层。图式简单说明:第一图系显示一种习知浅沟渠隔离结构制造方法之流程剖面图。第二图系显示根据本发明较佳实施例之浅沟渠隔离结构制造方法之流程剖面图。 |
