METHODE DE DEPOT DE SILICIUM CRISTALLIN EN FILMS MINCES SUR SUBSTRATS GRAPHITES

摘要

Procédé de dépôt en continu de silicium cristallin, dopé N ou P ou non, en film mince sur un substrat graphité consistant à : a. placer la matière de silicium cristallin dans un creuset comportant à sa partie inférieure un orifice capillaire d'axe vertical; b. porter la matière à une température supérieur à son point de fusion; c. amener le substrat préchauffé au contact de la goutte pendante formée à la partie inférieure de l'orifice capillaire, d. déplacer le substrat à vitesse convenable dans une direction constante déterminée ; e. enlever à intervalles de temps choisis le substrat revêtu du corps cristallin. Les dépôts de silicium cristallin sur des substrats graphités obtenus selon l'invention constituent le principal constituant des cellules photovoltaïques.