| 主权项 |
1.一种半导体基板的制造方法,其为藉由氧离子植入与之后的回火,而形成埋入氧化层之半导体基板的制造法,其特征在于:植入的氧原子与矽反应变成SiO2时,是在还原环境下实施回火。2.一种半导体基板的制造方法,其为藉由氧离子植入与之后的回火,而形成埋入氧化层之半导体基板的制造法,其特征在于:植入的氧原子与矽反应变成SiO2时,是在还原环境下实施回火;然后在含有氧气的非活性气体环境下继续进行回火。3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体基板的制造方法,其中上述利用还原环境下之回火,系氢回火。4.如申请专利范围第1或2项所述之半导体基板的制造方法,其中上述利用还原环境下之回火,系在小于1250℃的温度下进行。5.一种半导体基板的制造方法,其为藉由氧离子植入与之后的回火,而形成埋入氧化层之半导体基板的制造法,其特征在于:上述回火为,利用氧离子植入后立即在还原环境下进行的低温热处理;与接着在含有氧气的非活性气体中进行的高温热处理以实施。6.如申请专利范围第5项所述之半导体基板的制造方法,其中上述低温热处理系在小于1250℃的温度下进行,且上述高温热处理系在1300℃以上的温度进行。图式简单说明:第一图为本实施形态有关之半导体基板的制造步骤图。第二图为习知半导体基板的制造步骤图。 |
