| 发明名称 |
PHOTO-DIODE A L'ANTIMONIURE D'INDIUM ET PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>ON REALISE DES PHOTO-DIODES A L'ANTIMONIURE D'INDIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE DE L'ISOTOPE S DU SOUFRE, SUR UN SUBSTRAT EN ANTIMONIURE D'INDIUM 1 DE TYPE P.</P><P>CES PHOTO-DIODES PEUVENT ETRE SANS PROBLEME COUPLEES A UN DISPOSITIF A TRANSFERT DE CHARGE A CANAL N QUI REALISE LE MULTIPLEXAGE DES PHOTO-DIODES ET LA LECTURE DES CHARGES.</P>
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| 申请公布号 |
FR2556135(A1) |
申请公布日期 |
1985.06.07 |
| 申请号 |
FR19830019317 |
申请日期 |
1983.12.02 |
| 申请人 |
THOMSON CSF |
发明人 |
YVES HENRY, ANDRE NICOLLET ET MICHEL VILLARD;NICOLLET ANDRE;VILLARD MICHEL |
| 分类号 |
H01L27/146;H01L21/265;H01L29/207;H01L31/10;H01L31/103;H01L31/18;(IPC1-7):H01L31/06 |
主分类号 |
H01L27/146 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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