发明名称 降低溶液法成膜退火温度的方法
摘要 本发明公开了一种降低溶液法成膜退火温度的方法,首先按照溶质金属化合物和有机溶剂的混合摩尔比,将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中,进行混合,搅拌,待混合溶液澄清后,得到前驱体溶液;然后按照在所述步骤a中制备的前驱体溶液与过氧化氢叔丁醇的摩尔比≤1:1的混合比例,在前驱体溶液中加入过氧化氢叔丁醇,配制成混合溶液,然后将混合溶液进行加热,制成溶胶。本发明用来制备溶胶,作为氧化物半导体薄膜,应用于半导体薄膜与器件领域。本发明在配制有源层或绝缘层溶液中加入适量的过氧化氢叔丁醇溶液,来降低成膜的退火温度,尤其适合应用于基于柔性基板的半导体器件的制备。
申请公布号 CN105679649A 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201610022919.X 申请日期 2016.01.14
申请人 上海大学 发明人 李喜峰;许云龙;高娅娜;董盼盼;岳致富
分类号 H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 顾勇华
主权项 一种降低溶液法成膜退火温度的方法,其特征在于,包括如下步骤:a. 按照溶质金属化合物和有机溶剂的混合摩尔比,将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中,进行混合,搅拌,待混合溶液澄清后,得到前驱体溶液;b. 然后按照在所述步骤a中制备的前驱体溶液与过氧化氢叔丁醇的摩尔比≤1:1的混合比例,在前驱体溶液中加入过氧化氢叔丁醇,配制成混合溶液,然后将混合溶液进行加热,制成溶胶。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号