| 发明名称 |
METHOD FOR MANUFACTURING METAL-OXIDE FILM, METAL-OXIDE FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE |
| 摘要 |
본 발명은, 용매 및 금속 성분으로서 적어도 인듐을 포함하는 용액을 기판 상에 도포하여 금속 산화물 전구체막을 형성하는 전구체막 형성 공정과, 상기 금속 산화물 전구체막을 가열한 상태로, 산소 농도가 80000ppm 이하인 분위기하에서 자외선 조사를 행함으로써 상기 금속 산화물 전구체막을 금속 산화물막으로 전화시키는 전화 공정을 갖는 금속 산화물막의 제조 방법 및 그 응용을 제공한다. |
| 申请公布号 |
KR20160083056(A) |
申请公布日期 |
2016.07.11 |
| 申请号 |
KR20167014757 |
申请日期 |
2014.11.10 |
| 申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
TAKATA MASAHIRO |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/288;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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