| 摘要 |
ＬＥＤ素子１１のｐ型半導体層１５がｎ型半導体層１３（ｎ側電極１８）よりも高いことを考慮して、ｐ側電極１７がｎ側電極１８とほぼ同一高さの位置まで延びるように形成されている。これにより、ｐ側電極１７とｎ側電極１８とがほぼ同一高さで、且つ、ｐ側電極１７がｐ型半導体層１５より低い位置に形成されている。このように、ｐ側電極１７とｎ側電極１８とがほぼ同一高さであれば、配線２３，２４の下地である樹脂スロープ２２が左右対称の形状となるため、樹脂スロープ２２を形成するプロセスが容易となり、配線２３，２４の下地の段差を低減しやすくなる。これにより、成膜法で接続信頼性の高い配線２３，２４を形成できる。 |
