Apparatus and process for selective electrochemical etching.

摘要

Die Anordnung weist als Besonderheit auf, daß an das zu ätzende Werkstück (1) zwei Potentiale gelegt werden können, von denen das eine mindestens so positiv und das andere positiver als das Kathodenpotential ist. Bevorzugt ist eine Infrarotlampe vorhanden, um die zu ätzende Oberfläche zu bestrahlen. Mit der Anordnung werden beispielsweise Halbleiteroberflächen derart geätzt, daß ebene Flächen (8,18,19) entstehen, welche mit der ursprünglichen Oberfläche (11) einen Neigungswinkel zwischen 0 und 90° bilden. Von 0° verschiedene Neigungswinkel werden erhalten, wenn zwei unterschiedliche Potentiale an dem Werkstück anliegen. Beim Ätzen von N-dotiertem Material wird bestrahlt. Die Bestrahlungsstärke kann so eingestellt werden. daß P- und N-Material gleich schnell geätzt werden. Das Verfahren wird eingesetzt, bei der Ermittlung von Eindringtiefen und Dotierungsprofilen und bei der Herstellung von oxidgefüllten Isolationswannen und von V-Kerben für die sehr dichte Packung von Halbleiter-Bauelementen.