| 主权项 |
1.一种毫米波与微波电路结构,包括:一个绝缘基座表面(22a),其具有一个连接区域(24a);第一、第二、与第三共平面导体(32.34.30),系安装在表面上,每一个导体具有一个近位部分(32a、34a、30a)延伸进入连接区域,第一与第二导体(32.34)具有个别的末端部分(32b,34b)自连接区域以不同方向延伸,并且第三导体(30)具有一个第一末端部分(30b)延伸至邻接第一导体之末端部分(32b),第三导体(30)具有一个第二末端部分(30c)延伸至邻接第二导体之末端部分(34b),第三导体的第一与第二末端部分(30b、30c)与接地隔离;并且至少一个主动元件(26),具有一个输入信号控制接端(36)、一个反相输出信号传送接端(38)与一个非反相输出信号传送接端(40),此输出信号传送接端之信号与输入信号控制接端的输入信号有关,主动元件系定位在该连接区域,其中输入信号控制接端(36)耦合到第一导体(32),非反相输出信号传送接端耦合到第二导体(34)以及反相输出信号传送接端(38)耦合到第三导体(30)。2.如申请专利范围第1项所述之毫米波与微波电路结构,其中第一导体(32)与第二导体(34)二者被放在第三导体(30)的一侧。3.如申请专利范围第1项所述之毫米波与微波电路结构,其中第一导体(32)与第二导体(34)二者被放在第三导体(30)的相对侧,第三导体因此通过介于控制接端(36)与非反相接端(40)。4.如申请专利范围第1项所述之毫米波与微波电路结构,更包含:一个第四共平面导体(30'),系安装在表面(22a),第四导体具有一个近位部分(30a')延伸到连接区域(24a),第四导体具有个别之第一与第二末端部分(30b'、30c')以不同方向自连接区域延伸,并且第四导体具有第一末端部分(30b')延伸相连接到第一导体之末端部分(32b)而第二末端部分(30c')延伸相连接到第二导体之末端部分(34b);一个第二主动元件(28),具有一个第二输入信号控制接端(36)、一个第二反相输出信号传送接端(39)与一个第二非反相输出信号传送接端(40),第二输出信号传送接端的信号视第二输入信号控制接端之信号而定,此第二输入信号控制接端(36)被耦合到第一导体(32),此第二输入信号控制接端(36)被耦合到第一导体(32),此第二非反相输出信号传送接端(40)被耦合到第二导体(34),且第二反相输出信号传送接端(39)被耦合到第四导体(30')。5.如申请专利范围第4项所述之毫米波与微波电路结构,其中第三与第四共平面导体(30.30')以通过介于第一与第二导体(32.34)的另一个共平面导体(30d)连接。6.如申请专利范围第4项所述之毫米波与微波电路结构,其中第三导体(30)与第四导体(30')系连接。7.如申请专利范围第6项所述之毫米波与微波电路结构,其中第三导体(30)与第四导体(30')倒装晶片。8.如申请专利范围第1项所述之毫米波与微波电路结构,其中第一导体的末端部分(32b)与第三导体的一个末端部分(30b)连接到一个共振器电路(42)。9.如申请专利范围第8项所述之毫米波与微波电路结构,其中第一导体(32)的一部分与第三导体(30)的末端组成调谐电路(42)的一部分。10.如申请专利范围第1项所述之毫米波与微波电路结构,其中第二导体的末端部分(34b)与第三导体的一个末端部分(30c)连接到一个反馈电路(44)。11.如申请专利范围第10项所述之毫米波与微波电路结构,其中第二导体(34)的一部分与第三导体的末端(30c)组成反馈电路(44)的一部分。12.如申请专利范围第1项所述之毫米波与微波电路结构,其中第一导体的末端部分(32b)与第三导体的一个末端部分(30b)连接到一个调谐电路(42),且第二导体的末端部分(34b)与第三导体另一末端部分(30c)连接到一个反馈电路(44)。13.如申请专利范围第12项所述之毫米波与微波电路结构,其中共振器电路(42)与反馈电路(44)被安置使得该结构为一个振荡器。14.如申请专利范围第10.11.12.或13项所述之毫米波与微波电路结构,其中反馈电路(307)包含一个共平面电容(312.316)。15.如申请专利范围第4项所述之毫米波与微波电路结构,其中导体(30.32.34)被连接到第一元件(26)以组成一个振荡器电路的一部分,而导体(30'、32'、34')被连接到第二元件(28)以组成一个第二振荡器电路的一部分。16.如申请专利范围第15项所述之毫米波与微波电路结构,其中第一及第二振荡器的信号被锁住以使得振荡器以同相振荡。17.如申请专利范围第15项所述之毫米波与微波电路结构,其中第一及第二振荡器的信号被耦合以使得振荡器以推挽形式振荡。18.如申请专利范围第1项所述之毫米波与微波电路结构,其中主动元件(26)自一群由场效电晶体、双极性载子电晶体、异质接面电晶体、共振穿透电晶体、空间分布传送元件、侵透基极电晶体、固态三极体、真空三极体、控制突崩三极体元件与超导三极体元件中选出。19.如申请专利范围第1项所述之毫米波与微波电路结构,其中该电路为一个共-汲极振荡器(20)。20.如申请专利范围第8项或第10项所述之毫米波与微波电路结构,其中共振器或反馈电路(42.44)从一群由共平面槽线电路、共平面波导电路、共平面传输线电路以及共平面反馈电路中选出。图式简单说明:第一图为根据本发明所提之一个基础共平面共-汲极振荡器电路简化的平面图。第二图为一个基础共平面共-汲极振荡器电路简化的另一个实施例之平面图。第三图展列根据本发明所提之连接于共-汲极振荡器共平面电路元件对之平面图。第四图展列根据本发明所提实施例之一个组成单元振荡器电路阵列50。第五图描述根据本发明所提之一个共平面共-汲极振荡器阵列的另一个范例。第六图仍是描述根据本发明所提之一个共平面共-汲极振荡器阵列的另一个范例。第七图展列根据本发明所提实施例有关于一个共-汲极振荡器电路阵列具有一个射频开路接端之闸极-汲极共振器。第八图展列根据本发明所提实施例有关于一个共-汲极振荡器电路阵列具有一个射频短路接端之闸极-汲极共振器。第九图为第十图中闸极-汲极共振器电路等效电路之示意图。第十图为根据本发明所提实施例有关于一个共-汲极振荡器其交指式电容共平面腔体共振器的平面图。第十一图描述根据本发明所提双共振器实施例有关于一个共-汲极交指式电容共平面腔体共振器之振荡器。 |
