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发明名称 BATCH ERASURE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要
申请公布号 JPH0411781(A) 申请公布日期 1992.01.16
申请号 JP19900112264 申请日期 1990.04.28
申请人 NEC CORP 发明人 IWASA SHOICHI
分类号 H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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