| 主权项 |
1.一种反射型发光二极体,其特征为具有:发光元件,及对前述发光元件供给电力的导线部,及密封固定前述发光元件与前述导线部的透光性材料,及相对方向于前述发光元件的发光面而设的凹面状反射面,及将以前述凹面状反射面反射的光线向外部放射的放射面;于前述放射面的周围部形成较前述放射面更为突出的突出部,而且,藉由下铸模形成前述凹面状反射面,藉由上铸模形成前述放射面之下注塑形法所制作的。2.如申请专利范围第1项之反射型发光二极体,其中,前述放射面是平面形状,而且,前述凹面状反射面,系以前述发光元件的发光面的中心位置为焦点之约略旋转抛物面形状。3.如申请专利范围第1项之反射型发光二极体,其中,前述放射面是平面形状,而且,前述凹面状反射面,系由前述发光元件所发出且在前述凹面状反射面所反射的光,在前述放射面折射后聚光于一点的形状。4.一种反射型发光二极体,其特征为具有:被排列为直线状的发光元件,及对前述复数发光元件供给电力的导线部,及密封固定前述复数发光元件与前述导线部的透光性材料,及相对方向于前述复数发光元件的发光面而设的凹柱面状反射面,及将以前述凹柱面状反射面反射的光线向外部放射的放射面;于前述放射面的周围部形成较前述放射面更为突出的突出部,而且,系以藉由下铸模形成前述凹柱面状反射面,藉由上铸模形成前述放射面之下注塑形法所制作的。5.如申请专利范围第4项之反射型发光二极体,其中,中间反射面被配置于前述发光元件与发光元件之间,前述凹柱面状反射面,系反射前述发光元件所发出的光以及前述中间反射面所反射的光,以含有前述发光元件被排列成的直线的面分割为二,其一方的凹柱面状反射面的长边方向之剖面被形成为以前述发光元件的位置为中心之约略圆形,而且,另一方的凹柱面状反射面的长边方向之剖面被形成为使入射的光线反射向外部放射。6.一种反射型发光二极体,系具备有:发光元件,及具有载置前述发光元件的载置部的第1导线部,及介由连接线与发光元件接续的第2导线部,及相对于前述发光元件的发光面的方向被设置的凹面状反射面,及将以前述凹面状反射面所反射的光线向外部放射的放射面,及密封固定前述发光元件与前述第1导线部与第2导线部的一部份,同时填充前述凹面状反射面与前述反射面之间的空间的透光性材料之反射型发光二极体,其特征为:前述第1导线部系在由正面看前述凹面状反射面时以约略直线状横切前述凹面状反射面的方式被形成,而且,前述第1导线部的两端部系由前述透光性材料之侧面被拉出至外部。7.如申请专利范围第6项之反射型发光二极体,其中,于前述放射面的周围部形成较前述放射面更为突出的突出部,而且,系以藉由下铸模形成前述凹面状反射面,藉由上铸模形成前述放射面之模制法所制作的。8.如申请专利范围第6项之反射型发光二极体,其中,前述第1导线部与前述第2导线部,系以使用冲压加工所制作的导线架而形成的。9.如申请专利范围第6项之反射型发光二极体,其中,具有位于前述凹面状反射面的周边部的被安装于前述透光性材料上的第3导线部,前述第1导线部的除掉前述载置部的部分之2个导线本体部之中的一方的前述导线本体部及前述第2导线部,与另一方的前述导线本体部及前述第2导线部,系由前述透光性材料的侧面向相互相反的方向拉出的。10.如申请专利范围第6项之反射型发光二极体,其中,具有一方端部连接于前述第1导线部的前述载置部,另一方端部从前述透光性材料的侧面向外部拉出的第4导线部。11.如申请专利范围第10项之反射型发光二极体,其中,前述第1导线部的除掉前述载置部的部分之2个导线本体部之中的一方的前述导线本体部及前述第2导线部,与另一方的前述导线本体部及前述第4导线部,系由前述透光性材料的侧面向相互相反的方向拉出的。12.如申请专利范围第6项之反射型发光二极体,其中,前述第1导线部的前述载置部系由前述放射面侧向前述凹面状反射面侧突出而形成的,在前述载置部的端缘形成脚部,前述脚部的放射面侧的先端面位于与包含前述第1导线部的除掉前述载置部的部分之前述放射面侧的表面的平面相同的平面上。13.如申请专利范围第12项之反射型发光二极体,其中,前述脚部系被形成于横亘前述载置部的全部周围。14.一种发光二极体排列体,系将复数个申请专利范围第6项所记载的反射型发光二极体紧密排列而成。15.一种反射型发光二极体的制造方法,其特征为将具有发光元件,及对前述发光元件供给电力的导线部,及密封固定前述发光元件与前述导线部的透光性材料,及相对方向于前述发光元件的发光面而设的凹面状反射面,及将以前述凹面状反射面反射的光线向外部放射的放射面的反射型发光二极体,利用藉由下铸模形成前述凹面状反射面,藉由上铸模形成前述放射面之下注塑形法来制作,使得在前述放射面的周围部形成较前述放射面更为突出的突出部而构成的。图式简单说明:第一图(a)系本发明之第1实施形态之反射型发光二极体之概略正面图,第一图(b)系该反射型发光二极体的A-A剖面朝箭头方向看的概略剖面图。第二图系供说明第1实施形态之反射型发光二极体之凹面状反射面形状的设计方法的图。第三图系供说明第1实施形态之反射型发光二极体之凹面状反射面形状之其他设定方法的图。第四图系第1实施形态之反射型发光二极体与聚光透镜组合而形成的聚光形式的反射型发光二极体之概略剖面图。第五图系第1实施形态之反射型发光二极体的变形例之聚光型式的反射型发光二极体的概略剖面图。第六图(a)系本发明之第2实施形态之反射型发光二极体之概略正面图,第六图(b)系该反射型发光二极体的B-B剖面朝箭头方向看的概略剖面图。第七图(a)系本发明之第3实施形态之反射型发光二极体之概略正面图,第七图(b)系该反射型发光二极体的C-C剖面朝箭头方向看的概略剖面图,第七图(c)系该反射型发光二极体的D-D剖面朝箭头方向看的概略剖面图。第八图(a)系由第3实施形态之反射型发光二极体之一发光元件所发出的光线之中射入第1凹柱面状反射面的光的y-z平面之光径之图,第八图(b)系由该反射型发光二极体之一之发光元件所发出的光线之中,射入第1凹柱面状反射面的光的包含x轴的平面之光径示意图。第九图(a)系第3实施形态之反射型发光二极体之一之发光元件所发出的光线之中,射入第2凹柱面状反射面的光的y-z平面之光径之图,第九图(b)系由该反射型发光二极体之一之发光元件所发出的光线之中,射入第2凹柱面状反射面的光的包含x轴的平面之光径示意图。第十图(a)系本发明之第4实施形态之反射型发光二极体之概略正面图,第十图(b)系该反射型发光二极体的E-E剖面朝箭头方向看的概略剖面图,第十图(c)系该反射型发光二极体的F-F剖面朝箭头方向看的概略剖面图。第十一图系使用第4实施形态之反射型发光二极体的发光二极体排列体的概略正面图。第十二图系第十一图所示的发光二极体排列体由G-G剖面朝箭头方向看的概略部分剖面图。第十三图显示照射分布模拟结果的图。第十四图系供说明第4实施形态之反射型发光二极体的变形例之图。第十五图(a)系本发明之第5实施形态之反射型发光二极体之概略正面图,第十五图(b)系该反射型发光二极体的H-H剖面朝箭头方向看的概略剖面图,第十五图(c)系该反射型发光二极体的I-I剖面朝箭头方向看的概略剖面图。第十六图(a)系本发明之第5实施形态之反射型发光二极体之第1导线部的载置部之概略正面图,第十六图(b)系该第1导线部的载置部的J-J面朝箭头方向看的概略侧面图。第十七图(a)系本发明之第5实施形态于载置部之中央部施以穿孔加工的场合的载置部的概略正面图,第十七图(b)系该载置部的K-K面朝箭头方向看的概略侧面图。第十八图(a)系从前的反射型发光二极体之概略正面图,第十八图(b)系该发光二极体之L-L剖面朝箭头方向之概略剖面图。 |
