集成电路的电容器及其制造方法

摘要

一种高密度动态随机存取存储器电容器的制造方法.利用单一蚀刻在半导体衬底上制作电容器，该电容器由接触窗与金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电接触。本发明可减少使用光刻胶的数量且将不去除限定的光刻胶而直接蚀刻该光刻胶与该多晶硅层形成电容，利用制作中产生的聚合物与蚀刻副产物为掩模形成电容器的底部电极，并可在同一步骤形成电容的凹槽结构与柱状体，该凹槽与柱状体将增加电容器的表面积，故可大量提高电容器的电性能。

主权项

1.一种集成电路的电容器的制造方法，该方法在半导体衬底上进行，其步骤包含：形成第一多晶硅层；在该第一多晶硅层上淀积及限定光刻胶层图案；利用蚀刻步骤蚀刻该光刻胶层与该第一多晶硅层；在该第一多晶硅层的表面形成介电层；及形成第二多晶硅层。