| 发明名称 | 一种形成半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101330003A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810085960.7 | 申请日期 | 2008.06.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴志达;李正德;王从建;林杏莲;王郁仁;杜友伦;徐晨祐;刘源鸿;罗际兴;蔡嘉雄;张舒雯;陈佳麟;蔡明志 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 1、一种形成半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括：形成一底电极；在一含氧环境中处理该底电极以将该底电极的上层转化成一缓冲层；形成一绝缘层于该缓冲层上；以及形成一上电极覆盖于该绝缘层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||