| 主权项 |
1.一种使用一蚀刻化学物在电浆反应条件下蚀刻选自二氧化矽、氮化矽、硼磷矽酸盐玻璃、氟矽酸盐玻璃、矽氧硝化物、钨、钨矽化物及其等之混合物所组成族群的一物质之方法,其电浆反应条件为在一电浆反应室内每分钟1-5000标准立方公分之蚀刻化学物流,每分钟0-5000标准立方公分的氧流,一20-5000瓦电浆能源,一0.05-10.0 torr的压力与一25-500℃的反应器温度,并且该蚀刻化学物系选自三氟醋酸、三氟醋酸酐、三氟醋酸之三氟甲酯、及其等的混合物所组成族群。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻在一电浆反应室进行,用以清除该电浆反应室表面之二氧化矽与/或氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻化学物是以蒸气或一随携带气体之蒸气被导入一电浆反应室。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该携带气体系选自氩、氦、氮及其等之混合物所组成族群。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻化学物与氧混合。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻化学物与与一选自氩、氦及其等之混合物所组成族群的电浆稳定气体混合。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻化学物为二氟醋酸酐。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻化学物为三氟醋酸。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻化学物为三氟醋酸之三氟甲酯。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中氮化矽被蚀刻。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中的电浆反应条件为在一电浆反应室内每分钟400-2000标准立方公分之蚀刻化学物流,每分钟400-2500标准立方公分的氧流,一600-3500瓦电浆能源,一0.7-8.0 torr的压力与一350-420℃的反应器温度,及使用三氟醋酸酐作为该蚀刻化学物。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中的电浆反应条件为在一电浆反应室内每分钟1600-2000标准立方公分之蚀刻化学物流,每分钟1600-2500标准立方公分的氧流,一2500-3500瓦电浆能源,一0.7-2.7 torr的压力与一400℃的反应器温度,使用三氟醋酸酐作为该蚀刻化学物。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中的电浆反应条件为在一电浆反应室内每分钟400-1200标准立方公分之蚀刻化学物流,每分钟400-1200标准立方公分的氧流,一600-1200瓦电浆能源,一1.5-8 torr的压力与一400℃的反应器温度,及使用三氟醋酸酐作为该蚀刻化学物。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该物质是位于一晶圆上。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该物质是位于复数个晶圆上。 |
