钨膜的成膜方法

摘要

本发明提供一种能够通过使用了WCl₆气体作为原料气体的ALD法来以较高的生产率形成填埋性良好的钨膜的钨膜的成膜方法。在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内，利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜时，在供给氯化钨气体时，以ALD反应为主体的程度添加还原气体，在该ALD法中，以隔着腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及用于对氯化钨气体进行还原的还原气体。

主权项

一种钨膜的成膜方法，在该钨膜的成膜方法中，在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内，利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜，在该ALD法中，以隔着所述腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及对氯化钨气体进行还原的还原气体，该钨膜的成膜方法的特征在于，在供给所述氯化钨气体时，以ALD反应为主体的程度添加所述还原气体。