| 主权项 |
1.一种实质无规均共聚物,其具有磺化芳族或环脂族环或环化聚合物主干或其等之混合物,该均共聚物包含:(1)1至65莫耳%之聚合物单元,其系衍生自(a)至少一种乙烯基或亚乙烯基芳族单体,或(b)至少一含有芳族环之乙烯基或亚乙烯基芳族单体与至少一受阻型脂族或环脂族之亚乙烯基单体之混合物;及(2)35至99莫耳%之聚合物单元,其系衍生自至少一具有2至20个碳原子之脂族-烯烃;及(3)0至20莫耳%之聚合物单元,其系衍生自含有4至20个碳原子之二烯;且其中该均共聚物内所含之聚合物单元之0.1至65莫耳%系含有一或多种以化学式-SO3-M表示之基团,其中M系氢,NH4+,或离子形式之第1,7或12族之金属。2.如申请专利范围第1项之磺化实质无规均共聚物,其中(i)组份(1)系衍生自苯乙烯或乙烯基甲苯;(ii)组份(2)系衍生自具有2至10个碳原子之-烯烃或其等之任何混合物;及(iii)化学式-SO3-M+中之M系氢、NH4+、Li+、Na+、K+、Mg++、Ca++、Mn++、Zn++、Cu+或Cu++。3.如申请专利范围第1项之磺化实质无规均共聚物,其中(i)组份(1)系衍生自苯乙烯;(ii)组份(2)系衍生自乙烯、丙烯、丁烯-1.己烯-1.戊烯-1.辛烯-1或其等之任何混合物;及(iii)化学式-SO3-M+中之M系氢、NH4+、Li+、Na+、K+、Mg++或Zn++。4.如申请专利范围第3项之磺化实质无规均共聚物,其包含(i)1至50莫耳%之衍生自组份(1)之聚合物单元;(ii)50至99莫耳%之衍生自组份(2)之聚合物单元;及(iii)0至10莫耳%之衍生自组份(3)之聚合物单元;及(iv)该聚合物含有0.5至50莫耳%之以化学式-SO3-M表示之基团。5.如申请专利范围第3项之磺化实质无规均共聚物,其包含(i)1至50莫耳%之衍生自组份(1)之聚合物单元;(ii)50至99莫耳%之衍生自组份(2)之聚合物单元;及(iii)0莫耳%之衍生自组份(3)之聚合物单元;及该聚合物含有0.5至10莫耳%之以化学式-SO3-M表示之基团。6.一种聚合物之可相容掺合物,包含:(A)1至99重量%之至少一种聚醯胺;(B)1至99重量%之至少一种无衍生自芳族乙烯基或亚乙烯基芳族单体之单体单元之烯烃聚合物;及(C)1至99重量%之至少一种实质无规均共聚物,其具有磺化芳族环且系由含有下述者之单体组份制得:(1).1至65莫耳%之聚合物单元,其系衍生自(a)至少一种乙烯基或亚乙烯基芳族单体,或(b)至少一含有芳族环之乙烯基或亚乙烯基芳族单体与至少一受阻型脂族或环脂族之亚乙烯基单体之混合物;及(2).35至99莫耳%之聚合物单元,其系衍生自至少一具有2至20个碳原子之脂族-烯烃;及(3).0至20莫耳%之聚合物单元,其系衍生自含有4至20个碳原子之二烯;且其中该均共聚物内所含之聚合物单元之0.05至100莫耳%系含有一或多种以化学式-SO3-M表示之基团,其中M系氢,NH4+,或离子形式之第1,7或12族之金属。7.如申请专利范围第6项之掺合物,其中该掺合物中,0.05至25莫耳%之该芳族环含有以-SO3-M表示之取代基。8.如申请专利范围第6项之掺合物,其中组份(C3)系以0莫耳%之量存在。9.如申请专利范围第8项之掺合物,其中(i)组份(C1)系苯乙烯或乙烯基甲苯;及(ii)组份(C2)系乙烯、丙烯、丁烯-1.己烯-1.戊烯-1.辛烯-1或其等之任何混合物。10.如申请专利范围第8项之掺合物,其中(i)组份(1)系衍生自苯乙烯;(ii)组份(2)系衍生自乙烯、丙烯、丁烯-1.己烯-1.辛烯-1或其等之任何混合物;及(iii)化学式-SO3-M+中之M系氢、NH4+、Li+、Na+、K+、Mg++或Zn++。11.一种改质均共聚物组成物,其具有上服伺温度高于未改质之均共聚物至少5℃,该未改质均共聚物包含:(A)1至65莫耳%之聚合物单元,其系衍生自至少一种乙烯基或亚乙烯基芳族单体;(B)35至99莫耳%之聚合物单元,其系衍生自至少一具有2至20个碳原子之脂族-烯烃;该未改质聚合物系自下述者形成(I)使未改质之均共聚物行磺化作用,如此供含有0.1至5重量%-SO3H基之磺化均共聚物;及(II)使步骤(I)之磺化均共聚物与NH4+或第1,2,7,11或12族之金属化合物反应,其能使至少一些侧-SO3H基转化成-SO3-M基,其中M系NH4+或第1,2,7,11或12族之金属。12.如申请专利范围第11项之组成物,其中(i)该乙烯基或亚乙烯基芳族单体系苯乙烯;及(ii)该脂族-烯烃具有2至10个碳原子之-烯烃或其等之任何混合物;(iii)化学式-SO3-M+中之M系氢、NH4+、Li+、Na+、K+、Mg++、Ca++、Mn++、Zn++、Cu+、Cu++;及(iv)该磺化聚合物含有0.2至2.5重量%之-SO3-基。13.如申请专利范围第11项之组成物,其中(i)该乙烯基或亚乙烯基芳族单体系苯乙烯;及(v)该脂族-烯烃系乙烯、丙烯、丁烯-1.戊烯-1.己烯-1.辛烯-1或其等之任何混合物;(vi)化学式-SO3-M+中之M系氢、NH4+、Na+、K+、Zn++、Mg++或Li+。14.一种表面磺化物件,其系由实质无规均共聚物,包含(1)1至65莫耳%之聚合物单元,其系衍生自(a)至少一种乙烯基或亚乙烯基芳族单体,或(b)至少一含有芳族环之乙烯基或亚乙烯基芳族单体与至少一受阻型脂族或环脂族之亚乙烯基单体之混合物;及(2)35至99莫耳%之聚合物单元,其系衍生自至少一具有2至20个碳原子之脂族-烯烃;及(3)0至20莫耳%之聚合物单元,其系衍生自含有4至20个碳原子之二烯;且其中该均共聚物内所含之聚合物单元之0.001至30莫耳%系含有一或多种以化学式-SO3-M表示之基团,其中M系氢,NH4+,或离子形式之第1,2,7,11式12族之金属。15.如申请专利范围第14项之物件,其中(i)组份(1)系衍生自苯乙烯或乙烯基甲苯;(ii)组份(2)系衍生自具有2至10个碳原子之-烯烃或其等之任何混合物;及(iii)化学式-SO3-M+中之M系氢、NH4+、Li+、Na+、K+、Mg++、Ca++、Mn++、Zn++、Cu+或Cu++。16.如申请专利范围第14项之物件,其中(i)组份(1)系衍生自苯乙烯;(ii)组份(2)系衍生自乙烯、丙烯、丁烯-1.戊烯-1.己烯-1.辛烯-1或其等之任何混合物;及(iii)化学式-SO3-M+中之M系氢、NH4+、Na+、K+、Zn++、Mg++或Li+。17.如申请专利范围第16项之物件,其中(i)1至50莫耳%之衍生自组份(1)之聚合物单元;(ii)50至99莫耳%之衍生自组份(2)之聚合物单元;及(iii)0至10莫耳%之衍生自组份(3)之聚合物单元;及(iv)该聚合物含有0.1至3莫耳%之以化学式-SO3-M表示之基团。18.如申请专利范围第16项之物件,其中(i)1至65莫耳%之衍生自组份(1)之聚合物单元;(ii)35至99莫耳%之衍生自组份(2)之聚合物单元;及(iii)0莫耳%之衍生自组份(3)之聚合物单元;及该聚合物含有0.1至1莫耳%之以化学式-SO3-M表示之基团。19.如申请专利范围第18项之物件,其系锭状、片状或膜状之形式。 |
