| 主权项 |
1.一种CaAsP磊晶晶圆,系具有由掺杂氮至混晶率一定层所形成的GaAs1-xPx(0.45<x<1)氮浓度一定层的GaAsP磊晶晶圆,其特征系:该氮浓度一定层具有如下所示的氮浓度上限及氮浓度下限氮浓度上限:N=(6.25x-1.125)x1018cm-3氮浓度下限:N=(5x-1.5)x1018cm-3。2.一种GaAsP磊晶晶圆的制造方法,系具有由掺杂氮至混晶率一定层所形成的GaAs1-xPx(0.45<x<1)氮浓度一定层的GaAsP磊晶晶圆的制造方法,其特征系:将氮添加至该氮浓度一定层以使其浓度系大于元件化自该GaAsP磊晶晶圆的发光元件的初期亮度开始下降的浓度。3.如申请专利范围第2项之GaAsP磊晶晶圆的制造方法,其中:前述氮浓度系在如下所示的氮浓度上限及氮浓度下限的范围内氮浓度上限:N=(6.25x-1.125)x1018cm-3氮浓度下限:N=(5x-1.5)x1018cm-3。图式简单说明:第一图系显示本发明的GaAsP磊晶晶圆的一例的构造图。第二图系显示在制造本发明的GaAsP磊晶晶圆时的磊晶成长装置的一例的概略断面图。第三图系显示由本发明的GaAsP磊晶晶圆元件化的发光波长583nm的发光二极体的氮浓度一定层的氮浓度及初期亮度的关系的图。第四图系显示上述发光二极体的氮浓度一定层的氮浓度及因亮度劣化的亮度残存率的关系。第五图系显示可同时获致发光二极体的高初期亮度和高亮度残存率之相对氮浓度一定层的混晶率之最适氮浓度范围。第六图系显示以往的GaAsP磊晶晶圆的一例的构造图。 |
