| 主权项 |
1.一种微影投射装置,包含供给投射波束之一辐射源,一光罩支架,一基体支架及配置于该光罩支架与基体支架间之一投影系统,该装置更包含一对准系统,用以最后使设于该基体支架中之一基体与设于该光罩支架中之一光罩对准,该对准系统包含一离轴对准单元,用以使设于该基体上之对准标记与一基准对正,该装置特征在于对准标记为一绕射之标记及对准单元系适于分别检测由该绕射标记以高于0之不同绕射级所绕射之至少三个副波束,每一副波束则包含基体标记与该基准之相关位置之指示。2.根据申请专利范围第1项之微影投射装置,其特征在于该基准系由若干分开之基准元件之结构组成,该等基准元件乃等于所用绕射级之数目及具有与基体对准标记相同之形状者;以及一分离之检测器其与所述绕射元件之每一元件结合,以将来自该基体标记及由有关之绕射基准元件予以通过之一副波束转换成电信号。3.根据申请专利范围第2项之微影投射装置,其特征在于各基准元件系光栅。4.根据申请专利范围第2或第3项之微影投射装置,其特征在于在基体标记与绕射基准元件间之辐射路径相继结合一第一透镜系统,配置于来自第一透镜系统之各副波束路径中之各偏转元件之一结构,使该结构分离之副波束有不同之方向,以及一第二透镜系统,该系统乃配置于各偏转元件之后面,以使各副波束集中于结合之基准元件上者。5.根据申请专利范围第4项之微影投射装置,其特征在于第一透镜系统与基体标记之平面间之距离系等于第一透镜系统之焦聚,及第二透镜系统与各基准元件之平面间之距离系等于第二透镜系统之焦距,以及第一透镜系统与第二透镜系统间之距离系等于第一透镜系统之焦距与第二透镜系统焦距之和。6.根据申请专利范围第4项之微影投射装置,其特征在于各偏转元件之结构包含一对用于每一绕射级之偏转元件,俾以相反之绕射级符号使此绕射级之各副波束偏转而使第二透镜系统将此等副波束会聚于一联合之基准元件上。7.根据申请专利范围第4项之微影投射装置,其特征在于各偏转元件之结构包含若干分离之光学楔形物,其数量系等于副波束之数目。8.根据申请专利范围第4项之微影投射装置,其特征在于各偏转元件之结构包含若干透明之楔形板,一前一后配置于副波束之路径中,并具有不同之楔形角度及若干开口以通过不偏向之辐射,此等开口之数量及其位置乃系于使用n板之组合时,能使2n绕射级波束以二进方式在不同之方向上被偏转。9.根据申请专利范围第5项之微影投射装置,其特征在于该基体标记系一线性光栅。10.根据申请专利范围第9项之微影投射装置,其特征在于基准标记包含两光栅部分,其中第一部分之光栅条方向乃与第二部分之光栅条方向成垂直,是以各偏转元件之结构系二次元结构,及该基准系二次元基准。11.根据申请专利范围第1项之微影投射装置,其特征在于该离轴对准单元包含供应不同波长,波束之两辐射源,及一波束分裂器,用以将两波束在其主基体标记之路径上合并及分离该标记所反射之波束;以及对每一波束设有偏转元件与绕射基准元件之一分离结构。12.根据申请专利范围第1项之微影投射装置,其特征在于设有一第二离轴对准单元,及首先提及之对准单元与第二对准单元乃对投影系统作正反相对之配置。13.根据申请专利范围第1项之微影投射装置,其特征在于该对准系统亦包含一轴上对准单元,用以使基体与光罩图型对准。14.根据申请专利范围第13项之微影投射装置,其特征在于轴上对准单元包含一辐射源,该辐射源发射一波束,其波长与投影波束之波长不同。15.根据申请专利范围第13项之微影投射装置,其特征在于该轴上对准单元乃由以投影辐射操作之一影像感测器组成。16.一种微影投射装置,包含将一光罩图型投射于第一基体上之一投影站及测量第二基体之位置之一测量站,该装置之特点为该测量站包含如申请专利范围第1-12项中任何一项所述之一离轴对准单元。图式简单说明:第一图显示具有各种测量系统之一步进与扫描式投影装置之实例;第二图显示一基体对准标记之实例;第三图显示使一光罩标记与一基体标记互相对准之双重对准单元之实例;第四图显示根据本发明之一离轴对准单元之实例;第五图显示具有该实例中所用基准光栅之一板;第六图显示该实例中楔形元件达成之偏向;第七图显示第一及第二透镜系统在该对准元件中之较佳配置;第八图显示一系列楔形板用作对准单元之第二实施例中各偏转元件之结构:第九图举例说明该系列为何使一副波束偏转;第十图显示于该对准单元之一实例中在该板平面中各副波束之位置,该对准单元中乃使用具有两种波长之辐射者;第十一图显示其中使用两种波长之一对准单元之实例;第十二图显示使用于此实例中之一较佳波束分裂器;第十三图显示该对准单元与投影透镜及基体之相关位置;及第十四图显示一双重对准单元之子单元与一投影装置之影像感测器及一聚焦与调整器之相关位置。 |
