使半导体元件免受静电损坏的保护二极管

摘要

在P型半导体衬底表面有选择地形成场氧化物层，将半导体衬底表面隔成二个元件形成区。在包括元件形成区的半导体衬底表面形成N^-型外延层。在一个元件形成区表面形成N⁺集电极扩散区。在另一个元件形成区表面形成浅结P型基极区。在P型基极表面形成N型发射极区。在N⁺型集电极扩散区表面形成N⁺型集电极接触区。在P型基极中未生成高浓度杂质。形成与P型基极区和N⁺型发射区接触的接地电极。集电极电极连接N⁺型集电极接触区。

主权项

1.一种使半导体器件免受静电损坏的保护二极管，其特征在于包含：第一种导电类型的半导体衬底，第二种导电类型的半导体外延层，有选择地形成在所述半导体衬底的表面上，第二种导电类型的埋层，形成在所述半导体外延层下面，并与所述半导体外延层相接触，第一种导电类型的基极区，有选择地形成在所述半导体外延层表面上，未含高浓度杂质层，在所述基极区内有选择地形成的第二种导电类型的发射极区第二种导电类型的集电极区，有选择地形成在所述半导体外延层表面上，形成在所述半导体衬底上的绝缘层，该层在所述与发射极区的一部分、其上未形成所述发射极区的基极区部分和所述集电极区对准的各位置上留有开口部分，接地电极，通过所述开口部分与所述基极区和所述发射极区接触，固定在地电位，和集电极电极，通过所述开口部分与所述集电极区接触。