以激光为基础的集成电路的修理或重新构型的方法和系统

摘要

本发明提供了一种用各自定向的激光脉冲(74,94)从多个靶位置(150)照射在一个或更多集成电路(IC)芯片上的抗蚀剂材料的方法和系统。在一个实施例中,一片IC(12)包括一个或更多刻蚀靶(104,106)如导电接点(72,92),并覆盖有一层光敏抗蚀剂材料的刻蚀保护层(90)。然后,定位数据指向光敏抗蚀剂材料上的多个位置(150),指引具有预定参数的每个激光输出脉冲(94),其中预定参数的选择用来使光敏抗蚀剂材料曝光。因为光敏抗蚀剂的曝光所需能量小于接点吹除所需能量,所以可采用低能紫外激光(120),而且这些激光的较短的波长允许有更小的实用激光输出光斑尺寸(98)。由于非烧蚀性加工不产生渣屑,可将一光学元件(148)放在刻蚀保护层(90)的10mm以内,以使激光输出脉冲聚焦成一个小于激光输出(140)的波长的两倍的光斑尺寸。从而,本实施例的一个优点是,允许微电路制造者减小电路元件(14)之间的间隔距离。光敏抗蚀剂层(90)被显影后,可接近的刻蚀靶(92)能被刻蚀以修理或再构造IC器件。在另一实施例中,可采用稍高一点的紫外能量激光输出脉冲(74),来烧蚀刻蚀保护抗蚀层(70),所以,采用任何类型的刻蚀保护覆盖层,如非光敏性抗蚀剂材料,具有明显的制造和成本效益。在该工序后,对可接近的刻蚀靶(60,62)进行刻蚀。

主权项

1、一种选择性去除嵌入在半导体器件中的靶材料的方法，该靶材料安置在基片上的不同位置，并覆盖有至少一层刻蚀保护层，包括：向射束定位器提供代表嵌入在半导体器件中的靶材料的位置的射束定位数据；根据射束定位数据，指引波长小于500nm的激光输出冲击某一位置的刻蚀保护层，该位置与靶材料的一个位置在空间深度方向上是对准的，该激光输出具有的空间尺寸定义了将被去除的刻蚀保护层的区域；引起激光输出指向的刻蚀保护区域的去除；进行刻蚀加工，以去除与被去除的刻蚀保护层的区域在空间深度方向上对准的位置处的靶材料。