| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 一半导体晶片; 一接垫,该接垫形成在半导体晶片一表面上之一预 定位置; 一表面保护膜,该表面保护膜形成在除接垫表面一 部位上以外之半导体晶片表面上; 一开口部位,该开口部位是留在接垫表面之该部位 上之表面保护膜中;以及 一凸块电极,该凸块电极是通过开口部位加以形成 ,俾能和接垫接触; 其中,该开口部位包含宽度小于一预定値之一或多 数开口, 该开口在接垫一边具一第一开口端且在第一开口 端反面之一边具一第二开口端,以及 藉由使第一开口端和第二开口端在垂直于接垫表 面方向中突起所形成之一重叠区宽度是小于一用 以测量半导体装置之电气特性之一探针尖端直径 。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,使开 口布置成格子图案。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,使开 口布置成线条图案。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,沿着 接垫表面之一垂直线形成开口。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,开口 与接垫表面之一垂直线形成一斜度。 6.一种半导体装置之制程,包含: 在半导体晶片一表面上之一预定位置形成一接垫; 在除接垫表面一部位上以外之半导体晶片表面上 覆盖一表面保护膜;以及 通过一留在接垫表面之该部位上之表面保护膜中 之开口部位形成一凸块电极,俾能和接垫接触, 其中,当覆盖表面保护膜时,使该开口部位形成一 或多数开口,各开口在接垫一边具一第一开口端且 在第一开口端反面之一边具一第二开口端, 使得藉由使第一开口端和第二开口端在垂直于接 垫表面方向中突起所形成之一重叠区宽度变成小 于一用以测量半导体装置之电气特性之一探针尖 端直径。 7.如申请专利范围第6项之半导体装置制程,其中, 使开口布置成格子图案。 8.如申请专利范围第6项之半导体装置制程,其中, 使开口布置成线条图案。 9.如申请专利范围第6项之半导体装置制程,其中, 沿着接垫表面之一垂直线形成开口。 10.如申请专利范围第6项之半导体装置制程,其中, 开口与接垫表面之一垂直线形成一斜度。 11.一种半导体装置之测试方法,该半导体装置有一 接垫形成在一半导体晶片表面之一预定位置。有 一表面保护膜覆盖在除接垫表面一部位上以外之 半导体晶片表面上,以及为能和接垫接触而在通过 一留在接垫表面之该部位上之表面保护膜中之开 口部位所形成之一凸块电极,该方法包含: 使测量半导体装置电气特性之探针方向实质上垂 直于接垫表面,使得探针和半导体装置接触, 其中,该方法包含在如不完全形成凸块电极和藉由 开口部位防止探针尖端和接垫之间电气接触时检 测凸块电极为不良,其中之开口部位形成开口一边 小于探针之尖端直径。 图式简单说明: 第1图为使发明具体化之半导体装置之简化切面图 ; 第2图为使发明具体化之半导体装置之简化平面图 ; 第3图为使表示一遗漏凸块电极之发明具体化之半 导体装置之简化平面图; 第4图为使发明具体化之半导体装置之简化切面图 ; 第5图为使发明具体化之半导体装置开口部位之一 形状表示图; 第6图为使发明具体化之半导体装置开口部位之另 一形状表示图; 第7图为第1图中所示开口对一接垫表面倾斜45度角 之半导体装置之简化切面图; 第8图为第5图中所示开口对一接垫表面倾斜45度角 之表示图; 第9图为第6图中所示开口对一接垫表面倾斜45度角 之表示图; 第10图为一习知半导体晶片结构之表示图;以及 第11图为一习知半导体晶片结构之表示图,该半导 体晶片在一角落形成一未完成之凸块电极。 |
