| 主权项 |
1.一种基板处理系统,系将曝光程序用气体喷洒于 配置在反应槽内的基板之上,该基板处理系统,系 包括: 一反应槽,具有至少一气体入口和至少一个气体出 口; 一气体引进机制,系经由该气体入口将曝光程序用 气体引进该反应槽;以及一气体散布机制; 其特征在于,该气体散布机制会将该反应槽的内部 空间分割为可经由该气体入口将曝光程序用气体 引进其内的第一空间和其内配置有基板的第二空 间, 该气体散布机制其有复数个开口且该第一空间和 第二空间可经由各开口相互连通,且 该气体散布机制会经由各开口将已引进该第一空 间内的曝光程序用气体引进该第一空间内。 2.一种基板处理系统,其特征在于,系沿着垂直方向 将曝光程序用气体喷洒于配置在反应槽内作平行 配置的复数个基板之上,该基板处理系统系包括: 一反应槽,具有至少一个气体入口和至少一个气体 出口; 一气体引进机制,系经由该气体入口将曝光程序用 气体引进该反应槽;以及 气体散布机制,系各对应于复数个基板之一而设置 ; 该气体散布机制具有复数个开口,且 系经由各开口将已经由该气体入口引进的曝光程 序用气体喷洒于该基板上。 3.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中该反 应槽具有复数个气体入口,且会藉由以分隔板围绕 预定数目的气体入口将该第一空间分割成复数个 小型空间。 4.如申请专利范围第3项之基板处理系统,其中更包 括用于每一个气体入口的气体流速控制机构。 5.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中更包 括一个或更多个气体扩散构件,此等气体扩散构件 系配置于该第一空间,且系用以使已经由该气体入 口引进的曝光程序用气体扩散,以便使该反应槽内 曝光程序用气体密度变均匀。 6.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中该气 体散布机制系包括一朝该基板呈外凸或内凹的曲 板构件。 7.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中更包 括一气体喷流范围定义机制、其配置方式是使该 气体喷流范围定义机制与该气体散布机制叠合并 用以封闭该气体散布机制内所形成各开口中预定 数目的开口,因此定义出该曝光程序用气体的气体 喷流范围。 8.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中该气 体散机制系可绕其中心进行旋转的。 9.一种基板处理系统,其特征在于,系将曝光程序用 气体喷洒于配置在反应槽内的基板之上,该基板处 理系统系包括: 一反应槽,具有至少一个气体入口和至少一个气体 出口; 一气体引进机制,系经由该气体入口将曝光程序用 气体引进该反应槽;以及 气体散布机制,系用以将已引进该反应槽内的曝光 程序用气体喷洒于该基板上; 其中该气体散布机制可于该反应槽内沿着该反应 槽的上壁运动。 10.如申请专利范围第9项之基板处理系统,其中该 气体散布机制系可绕其中心轴进行旋转的。 11.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中更 包括一其上放置有基板的平台,该平台系可上下运 动的。 12.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中更 包括一其上放置有基板的平台,该平台系可绕其中 心轴进行旋转的。 13.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中更 包括一基板温度控制机制,系用以控制该基板的温 度。 14.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中更 包括一气体温度控制机制,系用以控制该曝光程序 用气体的温度。 15.如申请专利范围第13项之基板处理系统,其中更 包括一其上放置有基板的平台,且该基板温度控制 机制会藉由控制该平台的温度以控制讶基板的温 度。 16.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中该 反应槽内的压力系落在-20KPa到+20KPa的范围内。 17.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中更 包括一电浆产生机制,系用以在该反应槽内产生电 浆。 18.如申请专利范围第17项之基板处理系统,其中该 电浆产生机制系包括一配置在基板上方的上电极 以及一配置在基板下方的下电极,系将该上电极和 下电极之一接地、并经由一高频电源使该上电极 和下电极中的另一个与地线耦合在一起。 19.如申请专利范围第1项之基板处理系统,其中更 包括: 一减压输送槽,系与该反应槽相通且系用于在减压 条件下将基板输送到该反应内并用于在减压条件 下将基板从该反应槽输送出来;以及 一受压力控制的输送槽,系与该相通且系用于在大 气压力条件下从外面引进基板并在减压条件下将 基板输送到该减压输送槽内,且系用于在减压条件 下从该减压条件将基板输送出来并在大气压力条 件下将基板输送到外面。 图式简单说明: 第1图系用以显示根据本发明第一实施例之基板处 理系统结构的截面图。 第2图系用以显示如第1图所示之基板处理系统中 所用气体喷流板以及该气体喷流板用框架的立体 图。 第3图系用以显示如第1图所示之基板处理系统中 所用气体扩散构件实例的透视图。 第4图系用以显示一种涂膜之横向回流距离与时间 之间关系的曲线图。 第5图系在进行涂膜图案的回流程序之后用以显示 基板内回流距离之均匀度与蒸汽流动速率之间关 系的曲线图。 第6图系用以显示基板内回流距离之均匀度与抬昇 平台到气体喷流板距离之间关系的曲线图。 第7图系用以显示涂膜图案之回流速率与抬昇平台 温度之间关系的曲线图。 第8图系用以显示根据本发明第二实施例之基板处 理系统结构的截面图。 第9图系用以显示一种基板处理系统实例的截面图 ,其中设置有分隔板使得每一个气体引进管线皆围 绕有各分隔板。 第10图系用以显示一种基板处理系统实例的截面 图,其中另在复数个小型空间内配置有一个气体引 进管线。 第11图系用以显示根据本发明第三实施例之基板 处理系统结构的截面图。 第12图系用以显示根据本发明第四实施例之基板 处理系统结构的截面图。 第13图系用以显示根据本发明第五实施例之基板 处理系统结构的截面图。 第14图系用以显示根据本发明第六实施例之基板 处理系统结构的截面图。 第15图系用以显示一种用于使涂膜平坦化之习知 处理系统的截面图。 第16A到16C图系用以显示藉由一种使用用于使涂膜 平坦化之习知处理系统以制造薄膜电晶体之部分 程序步骤的截面图。 第17A图系用以显示在如第16A到16C图所示之程序步 骤后用以执行薄膜电晶体制造之部分程序步骤的 截面图。 第17B图系沿着第17A图之截面用以显示一工作物件 的局部平面图。 |
