半导体器件及制造半导体器件的方法

摘要

一种在硅化工艺中改进半导体器件的结构稳定性的制造半导体器件方法，提供具有由隔离层限定的有源区的衬底。在有源区和隔离层上形成蚀刻掩膜以具有至少部分地暴露出有源区的硅化防止图形。在暴露出的有源区上形成栅极结构。在硅化防止图形上定位的栅极结构上形成栅极隔离层。使用栅极隔离层作为掩膜，在有源区上形成源/漏区，以由此形成半导体器件。由于在硅化工艺中半导体器件的晶体管中不产生空隙或可防止晶体管的杂质侵入，因此包括晶体管的半导体器件可具有改进的可靠性和电性能。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成包括由隔离层限定的有源区的衬底；在隔离层和有源区上形成蚀刻掩膜，蚀刻掩膜包括暴露出部分有源区的硅化防止图形；在有源区的暴露部分上形成栅极结构；在硅化防止图形和栅极结构的侧壁上形成栅极隔离层；和使用栅极隔离层作为掩膜，在有源区上形成源/漏区。