| 发明名称 | 保护装置 | ||
| 摘要 | 一种保护装置。该装置具有第一MOSFET(Q 10)，第二MOSFET(Q 11)和第三JFET(Q 12)，它们的导电通路与位于MOSFET(Q 10，Q 11)之间的JFET(Q 12)串联。第一MOSFET(Q 10)的源极连接到第二MOSFET(Q 11)的栅极，而第二MOSFET(Q 11)的源极连接到第一MOSFET(Q 10)的栅极。MOSFET(Q 10，Q 11)与JFET(Q 12)一同形成可连接在输入和输出之间的一个可变电阻电路块。JFET(Q 12)的栅极由各电流源连接到连接到输入和输出。 | ||
| 申请公布号 | CN1643759A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN03806127.9 | 申请日期 | 2003.02.12 |
| 申请人 | 福尔泰克股份有限公司 | 发明人 | 理查德·A·哈里斯 |
| 分类号 | H02H3/14;H03K17/00;G01R1/36 | 主分类号 | H02H3/14 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭思宇 |
| 主权项 | 1.一种可连接在输入与负载之间或可连接在电路中的保护装置，该装置具有一可变电阻电路块，其可连接在输入与负载之间或作为串联元件可连接在电路中，该电路块具有第一耗尽型FET，第二耗尽型FET，第二FET的栅极连接到第一FET，第一FET的栅极连接到第二FET，以及第一和第二FET之间的第三耗尽型场效应晶体管(FET)，其导电通道与第一和第二FET的导电通道串联，并当通过该电路块的电流低于一阈值电平时，所述第三FET用于产生可忽略的电阻，并当通过该电路块的电流到达一阈值电平时，用于产生相对高的电阻。 | ||
| 地址 | 澳大利亚昆士兰 | ||