组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元

摘要

本发明是有关于一种新的存储单元组合，包括有一静态随机存取单元以及一掩模只读存储单元，该只读存储单元是位于该随机存取单元的形成第五晶体管与第六晶体管的多晶硅区与一源极接触点所在的主动区延伸部所交错的区中，使得只读存储单元与静态随机存取单元布局在同一区域中。这种布局使静态随机存取单元与掩模只读存储单元的字线(WORD LINE)和Vss接触点可以共享，并且在X-decoder线路也可以共享，可以不用在两个区域分别对两个单元的电路作布局，借以节省管芯的面积大约百分的二十左右。

主权项

1.一种组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元，其特征在于，包括有：一静态随机存取单元，包含一第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，其中该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管形成一正反器，该第一晶体管与该第三晶体管互补，该第二晶体管与该第四晶体管互补；一只读存储单元，包含一第七晶体管；一第一位线，与该第五晶体管的源极相接；一反第一位线，与该第六晶体管的源极相接；一第三位线，与该第七晶体管的漏极相接；以及一字线，分别与该第五晶体管、该第六晶体管和该第七晶体管的栅极相接，用以控制该第五晶体管、该第六晶体管与该第七晶体管。