避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法

摘要

一种避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法，是提供一衬底，其上具有一衬垫结构且已完成深渠沟电容器的工艺；对该衬底上的衬垫结构进行回缩，露出部分该衬底的上表面，以一填充层填入一深渠沟，接着，再保形性形成一遮蔽层于上述衬垫结构、上述衬底露出的上表面及上述填充层上，且蚀刻上述遮蔽层以形成一遮蔽层间隙壁，完全包覆上述衬垫结构侧壁及上述衬底露出的上表面。利用本发明所述的方法，可避免深渠沟的顶部尺寸在蚀刻工艺中扩大，进一步防止深沟渠电容器中的次电压漏损。

主权项

1.一种避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底，包含有一渠沟以及一渠沟电容器，且具有一衬垫结构形成于上述半导体衬底的上表面，其中上述渠沟电容器包含有一节点介电层以及一储存节点，上述节点介电层是形成于该渠沟的侧壁与底部，上述储存节点是填入该渠沟至一预定深度；对上述半导体衬垫结构进行回缩，露出沟渠周围的上述半导体衬底上表面；以一填充层填入上述渠沟，使上述填充层露出的表面不高于上述半导体衬底的上表面；保形性形成一遮蔽层于上述衬垫结构、上述半导体衬底露出的上表面及上述填充层上；回蚀上述遮蔽层以形成一遮蔽层间隙壁，完全包覆上述衬垫结构侧壁及上述衬底露出的上表面；以及移除上述填充层，露出构成上述渠沟侧壁的半导体衬底表面。