| 发明名称 | 一种基于硅纳米结构的光伏电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于硅纳米线的光伏电池，包括背电极(6)和P型硅衬底(5)，其特征在于：P型硅衬底(5)的上表面采用硅纳米线阵列结构，该硅纳米线阵列结构表面上依次层叠有i型非晶硅层(4)、N型非晶硅层(3)和氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)，其中i型非晶硅层(4)包括依次层叠于硅纳米线阵列结构表面上的高氢气/硅烷比的i型非晶硅层、第一i型非晶硅层、低氢气/硅烷比的i型非晶硅层以及第二i型非晶硅层。本发明由于P型硅衬底表面采用纳米线结构，具有良好的陷光效果，且提高了载流子的收集效率，同时i型非晶硅层为四层叠置结构，提高了其钝化性能，改善了光伏电池的能量转化效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105679863A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610218949.8 | 申请日期 | 2016.04.08 |
| 申请人 | 陈立新 | 发明人 | 陈立新 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人 | 冯筠 |
| 主权项 | 一种基于硅纳米线的光伏电池，包括背电极(6)和P型硅衬底(5)，其特征在于：P型硅衬底(5)的上表面采用硅纳米线阵列结构，该硅纳米线阵列结构表面上依次层叠有i型非晶硅层(4)、N型非晶硅层(3)和氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)，其中i型非晶硅层(4)包括依次层叠于硅纳米线阵列结构表面上的高氢气/硅烷比的i型非晶硅层、第一i型非晶硅层、低氢气/硅烷比的i型非晶硅层以及第二i型非晶硅层。 | ||
| 地址 | 528000 广东省佛山市三水区西南街道西青大道5号5座306 | ||