| 主权项 |
1.一种磊晶片的制造方法,用以于一基板上形成具有三族金属氮化物之磊晶层,该方法包括:提供一基板;提供一第一气体源,其中该第一气体分子中包含氮元素;提供一第二气体源,其中该第二气体中含有该三族金属之三氯化物;使该第一气体与该第二气体于一加热区中进行反应,并使该反应生成之三族金属氮化物沈积于该基板上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板之材料可为三氧化二铝、碳化矽、矽、砷化镓、磷化镓、氮化镓或氮化铝镓其中之一。3.如申请专利范围第1项之方法,其中更包括:于进行反应前,先于该基板上通入该第一气体作表面热处理。4.如申请专利范围第1项之方法,其中更包括:于进行反应前,先于该基板上通入该第二气体作表面热处理。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一气体为氨气。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该三族金属之氮化物可为氮化镓、氮化铝、氮化铟或其各种比例组合之三元或四元化合物。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该加热区之温度可为摄氏300至1400度之间。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该加热区之温度系为摄氏500至1400度之间。9.如申请专利范围第3或4项之方法,其中该热处理之温度系为摄氏500至1400度之间。10.如申请专利范围第1项之方法,其中更包括:于进行反应前,先于该基板上形成一缓冲层。11.如申请专利范围第1或10项之方法,其中更包括:于该磊晶层形成后,将该基板剥去的步骤。12.如申请专利范围第10项之方法,其中更包括:于该磊晶层形成后,将该基板及缓冲层剥去的步骤。图式简单说明:第一图为本发明实施例所应用之系统简图。第二图为本发明实施例之X射线绕射频谱图。第三图为本发明实施例之扫描式电子显微镜的照片。 |
