| 主权项 |
1.一种多个半导体晶片(1)之制造方法,特别是发光半导体晶片(100,200)之制法,比处须在基体晶圆(19)之主面(9)上沈积一种半导体层序列(18),此种方法之特征为:-在基体晶圆(19)上沈积一层遮罩层(4),-遮罩层(4)设置复数个视窗(10),基体晶圆(19)之主面(9)裸露在视窗中,-半导体层序列(18)沈积在基体晶圆(19)之裸露于视窗(10)中之主面(9)上,以便在视窗(10)中产生相同功能之半导体结构(2),-这样所制成之晶圆(24)藉由在半导体结构(2)之间所进行之切割作用而分割成半导体晶片(1)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中须制成多个Ga(In,Al)N-发光二极体晶片(100),其中Ga(In,Al)N-半导体层序列(18)沈积在基体晶圆(19)之裸露于视窗(10)中之主面(9)上,以便在视窗(10)中产生Ga(In,Al)N-发光二极体结构(2),这样所制成之晶圆(24)藉由在Ga(In,Al)N-发光二极体结构(2)之间所进行之切割作用而分割成Ga(In,Al)N-发光二极体晶片(100)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中须制成多个VCSEL-晶片,VCSEL-半导体层序列是沈积在基体晶圆之裸露于视窗中之主面上,以便在视窗中产生VCSEL-结构,这样所产生之晶圆藉由在VCSEL-结构之间所进行之切割作用而分割成VCSEL-晶片。4.如申请专利范围第1项之方法,其中须制成多个由边缘发光之半导体雷射晶片(200),其在二个互相面对之侧面上具有以平行平面之方式而相面对之雷射镜面(8),此雷射镜面(10)是由视窗(10)之二个互相面对之平行平面式侧面(7)所界定。5.如申请专利范围第1至第4项中任一项之方法,其中基体晶圆(19)至少具有一个磊晶沈积之半导体层(6),在视窗(10)中于半导体层(6)上沈积一种半导体层序列(18)。6.如申请专利范围第1至第4项中任一项之方法,其中使用SiO2层或SixN1x层作为遮罩层(4)。7.如申请专利范围第5项之方法,其中使用SiO2层或SixN1x层作为遮罩层(4)。8.如申请专利范围第1至第4项中任一项之方法,其中基体晶圆(19)具有生长-基体(3),其基本上是由蓝宝石,SiC,GaN,AlN,Si或GaAs所构成。9.如申请专利范围第5项之方法,其中基体晶圆(19)具有生长-基体(3),其基本上是由蓝宝石,SiC,GaN,AlN,Si或GaAs所构成。10.如申请专利范围第6项之方法,其中基体晶圆(19)具有生长-基体(3),其基本上是由蓝宝石,SiC,GaN,AlN,Si或GaAs所构成。11.如申请专利范围第1至第4项中任一项之方法,其中半导体结构(2)具有至少一层由材料系统Ga(In,Al)N所构成之半导体层(23)。12.如申请专利范围第5项之方法,其中半导体结构(2)具有至少一层由材料系统Ga(In,Al)N所构成之半导体层(23)。13.如申请专利范围第6项之方法,其中半导体结构(2)具有至少一层由材料系统Ga(In,Al)N所构成之半导体层(23)。14.如申请专利范围第8项之方法,其中半导体结构(2)具有至少一层由材料系统Ga(In,Al)N所构成之半导体层(23)。15.如申请专利范围第5项之方法,其中半导体层(6)基本上是由GaxAl饵x1N层(0≦x≦1)所构成。16.如申请专利范围第7项之方法,其中半导体层(6)基本上是由GaxAl饵x1N层(0≦x≦1)所构成。17.如申请专利范围第9项之方法,其中半导体层(6)基本上是由GaxAl饵x1N层(0≦x≦1)所构成。18.如申请专利范围第12项之方法,其中半导体层(6)基本上是由GaxAl饵x1N层(0≦x≦1)所构成。19.如申请专利范围第1至第4项中任一项之方法,其中视窗(10)藉由一种相对于基体晶圆(19)来进行选择之蚀刻步骤(12)所形成。20.如申请专利范围第10项之方法,其中视窗(10)藉由一种相对于基体晶圆(19)来进行选择之蚀刻步骤(12)所形成。21.如申请专利范围第1至第4项中任一项之方法,其中为了形成视窗(10)须使用一种非等向性之乾蚀刻方法。22.如申请专利范围第19项之方法,其中为了形成视窗(10)须使用一种非等向性之乾蚀刻方法。23.如申请专利范围第1至第4项中任一项之方法,其中在切割晶圆(24)之前须去除该遮罩层(4)。24.如申请专利范围第23项之方法,其中在沈积半导体结构(2)之后藉由一种相对于半导挞结构(2)来进行选择之蚀刻步骤(14)而使遮罩层(4)去除。25.如申请专利范围第23项之方法,其中在沈积半导体结构(2)之后须使用一种等向性之湿化学蚀刻方法来去除该遮罩层(4)。图式简单说明:第一图至第六图 本方法制造发光二极体(第1实施例)所需流程之图解。第七图 发光二极体晶片之图解,其系依据本发明之方法所制成(第2实施例)。第八图至第十图 本方法制造边缘发光之雷射半导体本体(第3实施例)所需流程之图解。 |
