| 主权项 |
1.一种半导体引线框架,针对具有安装半导体晶片之晶片凸缘部、和由半导体晶片的电极与焊丝结合的内引线及封装后露出外部的外引线制成之引线部之半导体引线框架中,其特征为:将凸缘部与引线部利用折弯部来连接,于折弯部不折弯的状态中,晶片凸缘部与引线部为不重叠的分开,但于折弯折弯部的状态中,引线部的内引线端部系被配置在重叠于晶片凸缘部的晶片凸缘部之半导体晶片安装位置周边。2.一种半导体引线框架,针对具有安装半导体晶片之晶片凸缘部、和由半导体晶片的电极与焊丝结合的内引线及封装后露出于外部的外引线制成之引线部之半导体引线框架中,其特征为:将凸缘部与引线部利用旋转部来连接,且在旋转部的周围于不旋转引线部的状态中,晶片凸缘部与引线部为不重叠的分开,但在旋转部的周围180于旋转引线部的状态中,引线部的内引线端部系被配置在重叠于晶片凸缘部之半导体安装位置周边。3.一种半导体引线框架之制造方法,该方法为制造申请专利范围第1项所述之半导体引线框架之制造方法,其以引线框架用合金材利用冲孔加工形成晶片凸缘部及引线部,且形成连接该晶片凸缘部与该引线部之间的折弯部之后,将该折弯部利用冲压弯曲加工折弯,而将引线部的内引线端部重叠在晶片凸缘部,使之配置在晶片凸缘部的半导体晶片安装位置周边。4.一种半导体引线框架之制造方法,该方法为制造申请专利范围第2项所述之半导体引线框架之制造方法,其以引线框架用合金材利用冲孔加工形成晶片凸缘部及引线部,且形成连接该晶片凸缘部与该引线部之间的旋转部之后,在该旋转部重覆冲压弯曲加工来旋转引线部,而将引线部的内引线端部重叠在晶片凸缘部,使之配置在晶片凸缘部的半导体晶片安装位置周边。5.一种的半导体装置之制造方法,该方法为以引线框架用合用平板利用冲孔加工,形成晶片凸缘准备部及引线部,接着冲角拉伸加工该晶片凸缘准备部,形成具有底面及侧面的上方开放角杯状之晶片凸缘部,接着,做引线部的内引线端部位于离开晶片凸缘部周缘的略上方之下定位加工,接着,在晶片凸缘部的内底面上贴上半导体晶片,接着,进行将半导体晶片的各电极与各内引线端部之间利用导线来连接之焊丝结合加工,然后,做露出晶片凸缘部的外底面的树脂模压加工来制造半导体装置。6.一种的半导体装置之制造方法,该方法为以引线框架用合用平板利用冲孔加工,形成晶片凸缘准备部、引线部及连结该晶片凸缘准备部与该引线部之间之折弯部,接着冲角拉伸加工该晶片凸缘准备部,形成具有底面及侧面的上方开放角杯状之晶片凸缘部,接着,利用冲压加工折弯该折弯部,而将该引线部的内外线端部重叠在该晶片凸缘部,使之配置在晶片凸缘部的半导体晶片安装位置周边,更将引线部做位于离开晶片凸缘部的略上方之下定位加工,接着,在晶片凸缘部的内底面上贴上半导体晶片,接着,进行将半导体晶片的各电极与各内引线端部之间利用导线来连接之焊丝结合加工,然后,做露出晶片凸缘部的外底面的树脂模压加工来制造半导体装置。7.一种的半导体装置之制造方法,其以引线框架用合用平板利用冲孔加工,形成晶片凸缘准备部、引线部及连结该晶片凸缘准备部与该引线部之间之旋转部,接着冲角拉伸加工该晶片凸缘准备部,形成具有底面及侧面的上方开放角杯状之晶片凸缘部,接着,在该旋转部周围重覆冲压弯曲加工来旋转该引线部,而将该引线部的内引线端部重叠在该晶片凸缘部,使之配置在晶片凸缘部的半导体晶片安装位置周边,更将引线部做位于离开晶片凸缘部周缘的略上方之下定位加工,接着,在晶片凸缘部的内底面上贴上半导体晶片,接着,进行将半导体晶片的各电极与各内引线端部之间利用导线来连接之焊丝结合加工,然后,做露出晶片凸缘部的外底面的树脂模压加工来制造半导体装置。8.一种半导体引线框架,针对具有引线部及晶片凸缘部之半导体引线框架中,其特征为:晶片凸缘部为上方开放角杯状,该引线部的内引线端部为离开该晶片凸缘部周缘的略上方来配置的。9.如申请专利范围第8项所述之半导体引线框架,其中,晶片凸缘部的板厚是等于引线部的板厚。图式简单说明:第一图系表示本发明之实施形态1之引线框架之冲孔加工之俯视图;第二图系表示本发明之实施形态1之引线框架之弯曲加工之断面图;第三图系表示本发明之实施形态1之引线框架之弯曲加工后的完成品之俯视图;第四图系表示本发明之实施形态2之引线框架之冲孔加工之俯视图;第五图系表示本发明之实施形态2之引线框架之旋转加工之断面图;第六图系表示本发明之实施形态2之引线框架之旋转加工后的完成品之俯视图;第七图系本发明之实施形态4之冲孔之俯视图;第八图系习知之引线框架之俯视图;第九图系第八图之B-B断面图;第十图系本发明之实施形态5之半导体状置之焊丝结合加工后之断面图。 |
