| 主权项 |
1.一种光阻剂共聚物,包括两种或多种脂环烯烃衍 生物,及0.1-20莫耳%化学式1交联单体聚合化所得产 物, <化学式1> 其中R′和R〞互不相关的分别为氢或甲基;m是一从 1至10的数;及R是选自直链或含支链的C1-C10烷基,直 链或含支链的C1-C10酯,直链或含支链的C1-C10酮,直 链或含支链的C1一C10羧酸,直链或含支链的C1-C10缩 醛,直链或含链的含有至少一羟基之C1-C10烷基,直 链或含支链的含有至少一羟基之C1-C10酯,直链或含 支链的含有至少一羟基之C1-C10酮,直链或含支链的 含有至少一羟基之C1-C10羧酸,及直链或含支链的含 有至少一羟基之C1-C10缩醛。 2.如申请专利范围第1项之光阻剂共聚物,其中该脂 环烯烃衍生物包括下述化学式4的化合物, <化学式4> 其中k和n互不相关的分别为1或2;p是0至5的数,R5和R6 互不相关的分别代表氢或甲基,R1,R2,R3和R4互不相 关的分别代表氢,直链或含支链的C1-C10烷基,直链 或含支链的C1-C10酯,直链或含支链的C1-C10酮,直链 或含支链的C1-C10羧酸,直链或含支链的C1-C10缩醛, 直链或含链的含有至少一羟基之C1-C10烷基,直链或 含支链的含有至少一羟基之C1-C10酯,直链或含支链 的含有至少一羟基之C1-C10酮,直链或含支链的含有 至少一羟基之C1-C10羧酸,及直链或含支链的含有至 少一羟基之C1-C10缩醛。 3.如申请专利范围第1项之光阻剂共聚物,其中该聚 合产物进一步包括顺丁烯二酸酐的重覆单元。 4.如申请专利范围第1项之光阻剂共聚物,其是由下 式化学式5所代表; <化学式5> 其中k和n互不相关的分别代表1或2;m代表一从1至10 的数;p代表从0至5的数;R′,R〞,R5和R6互不相关的分 别为氢或甲基;R是选自直链或含支链的C1-C10烷基, 直链或含支链的C1-C10酯,直链或含支链的C1-C10酮, 直链或含支链的C1-C10羧酸,直链或含支链的C1-C10缩 醛,直链或含链的含有至少一羟基之C1-C10烷基,直 链或含支链的含有至少一羟基之C1-C10酯,直链或含 支链的含有至少一羟基之C1-C10酮,直链或含支链的 含有至少一羟基之C1-C10羧酸,及直链或含支链的含 有至少一羟基之C1-C10缩醛;R1,R2,R3和R4互不相关的 分别选自氢,直链或含支链的C1-C10烷基,直链或含 支链的C1-C10酯,直链或含支链的C1-C10酮,直链或含 支链的C1-C10羧酸,直链或含支链的C1-C10缩醛,直链 或含链的含有至少一羟基之C1-C10烷基,直链或含支 链的含有至少一羟基之C1-C10酯,直链或含支链的含 有至少一羟基之C1-C10酮,直链或含支链的含有至少 一羟基之C1-C10羧酸,及直链或含支链的含有至少一 羟基之C1-C10缩醛;及a:b:c的比例是1-50莫耳%;10-50莫 耳%:0.1-20莫耳%。 5.如申请专利范围第4项之光阻剂聚合物,包括聚( 顺丁烯二酸酐/2-羟基乙基5-原冰片烯-2-羧酸酯/叔- 丁基5-原冰片烯-2-羧酸酯/5-原冰片烯-2-羧酸/1,3-丁 二醇二丙烯酸酯);或聚(顺丁烯二酸酐/2-羟基乙基5 -原冰片烯-2-羧酸酯/叔-丁基5-原冰片烯-2-羧酸酯/5 -原冰片烯-2-羧酸/1,4-丁二醇二丙烯酸酯)。 6.一种制构一光阻剂共聚物的方法,包括步骤(a)将 两种或多种光阻剂共单体及下述化学式1之光阻剂 交联单体溶解于一有机溶剂中,及(b)加入一聚合化 起始剂或聚合催化剂,以诱发聚合化反应, <化学式1> 其中R′和R〞互不相关的分别为氢或甲基;m是一从 1至10的数;及R是选自直链或含支链的C1-C10烷基,直 链或含支链的C1-C10酯,直链或含支链的C1-C10酮,直 链或含支链的C1-C10羧酸,直链或含支链的C1-C10缩醛 ,直链或含链的含有至少一羟基之C1-C10烷基,直链 或含支链的含有至少一羟基之C1-C10酯,直链或含支 链的含有至少一羟基之C1-C10酮,直链或含支链的含 有至少一羟基之C1-C10羧酸,及直链或含支链的含有 至少一羟基之C1-C10缩醛。 7.如申请专利范围第6项之制备光阻剂共聚物的方 法,其中步骤(b)是在氮气或氩气气氛之下进行。 8.如申请专利范围第6项之制备光阻剂共聚物的方 法,其中步骤(b)是在温度60℃和130℃间进行。 9.如申请专利范围第6项之制备光阻剂共聚物的方 法,具中步骤(b)是在压力0.0001和5atm间进行。 10.如申请专利范围第6项之制备光组剂共聚物的方 法,其中该用于聚合化反应之有机溶剂是一种或多 种溶剂,选自环己酮,甲基乙基酮,苯,甲苯,二恶烷, 四氢喃,丙二醇甲基醚乙酸酯,及/或二甲基甲醯 胺。 11.如申请专利范围第6项之制备光阻剂共聚物的方 法,其中该聚合化起始剂是一种或多种化合物,选 自2,2'-偶氮双异丁(AIBN),乙醯过氧化物,月桂基过 氧化物,叔-丁基过乙酸酯,叔-丁基过氧化氢,二-叔 丁基过氧化物。 12.一种光阻剂组成物,包括(i)一种如申请专利范围 第1项之光阻剂共聚物,及(ii)100-2000%光阻剂共聚物 重量的有机溶剂。 13.如申请专利范围第12项之光阻剂组成物,其另外 包括一0.1-10%光阻剂共聚物重量之光酸产生剂。 14.如申请专利范围第13项之光阻剂组成物,其中该 光酸产生剂是一种或多种化合物,选自二苯基碘化 物六氟磷酸盐,二苯基碘化物六氟砷酸盐,二苯基 碘化物六氟锑酸盐,二苯基p-甲氧基苯基三氟甲烷 磺酸盐,二苯基p-甲苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基p- 异丁基苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基p-叔-丁基苯基 三氟甲烷磺酸盐,三苯基六氟磷酸盐,三苯基 六氟砷酸盐,三苯基六氟锑酸盐,三苯基三氟 甲烷磺酸盐,二丁基基三氟甲烷磺酸盐。 15.一种形成一光阻剂图像的方法,包括步骤(a)将如 申请专利范围第12项之光阻剂组成物涂覆至一晶 元上,步骤(b)使用一经图像化光源之曝光器照光, 及步骤(c)将照光后的晶元显像。 16.如申请专利范围第15项之形成光阻剂图像的方 法,其中步骤(b)是使用选自ArF,KrF,E-光束,X-射线,EUV( 极紫外线)及DUV(深紫外线)的光源进行。 17.如申请专利范围第16项之方法,其在步骤(b)之前 或之后进一步包括烘烤步骤。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中该烘烤步骤 是在温度50℃和200℃间进行。 19.如申请专利范围第15项之方法,其中该显像步骤( c)是使用TMAH(四甲基胺氢氧化物)水溶液进行。 图式简单说明: 图1是实例3所得之光阻剂图像。 图2是实例4所得之光阻剂图像。 |
