| 主权项 |
1.一种可用于形成对193nm波长曝光敏感的光阻用之 抗反射性涂层之组合物,其包括自90重量%至50重量% 之具有构造(1)之聚合物 其中, X为CO2、O或SO2及n=0或1,x为整数及y为0或整数,然而, 若n=0时,y为整数, R为氢、卤素、硝基、烷基(C1-C4)、烷氧基(C1-C4)或 酯类(C1-C4),及m=1-4, R1至R7分别为氢、卤素、烷基(C1-C4)、脂族团、烷 氧基(C1-C4)、酯类(C1-C4)、CO2(烷基)OH、CO2(烷基)COCH2 COCH3,再者,R7与R6结合形成饱和环或酐, 交联剂、热酸产生剂及溶剂, 其中该抗反射性涂层在该光阻光敏感之波长之吸 收参数(k)系介于0.3与0.7之间。 2.如申请专利范围第1项之组合物,其中该聚合物包 括一或多个具有构造(2)之重复的酚基单元 及一或多个具有构造(3)之重复的非芳族单元, 其中, X为CO2、O或SO2及n=0或1, R为氢、卤素、硝基、烷基(C1-C4)、烷氧基(C1-C4)或 酯类(C1-C4),及m=1-4, R1至R7分别为氢、卤素、烷基(C1-C4)、脂族团、烷 氧基(C1-C4)、酯类(C1-C4)、CO2(烷基)OH、CO2(烷基)COCH2 COCH3,再者,R7与R6结合形成饱和环或酐。 3.如申请专利范围第2项之组合物,其中该非芳族单 元包含35莫耳%或更多之共聚物。 4.如申请专利范围第1项之组合物,其中该交联剂系 选自三聚氰醯胺、羟甲基、甘、羟基醯胺、环 氧及环氧胺树脂、保护住的异氰酸盐,以及丁二烯 单体。 5.如申请专利范围第1项之组合物,其中该热酸产生 剂系选自甲苯磺酸硝基酯、苯磺酸硝基酯及 酚磺酸酯。 6.如申请专利范围第1项之组合物,其中该热酸产生 剂系在90℃以上活化。 7.如申请专利范围第1项之组合物,其中该热酸产生 剂系在150℃以上活化。 8.如申请专利范围第1项之组合物,其中该热酸产生 剂系在190℃以上活化。 9.如申请专利范围第1项之组合物,其中该溶剂系选 自丙二醇-甲基乙醚醋酸酯、丙二醇-甲基乙醚,及 乳酸乙酯、2-庚酮、环戊酮、环己酮及-丁内酯 。 10.如申请专利范围第1项之组合物,其中该聚合物 系选自聚(羟基苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基 丙烯酸羟基酯-甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基丙烯 酸羟基苯酯)或其混合物。 11.如申请专利范围第1项之组合物,其中该光阻包 括非芳族高分子、光活性化合物及光阻溶剂 12.如申请专利范围第1项之组合物,其中该组合物 另包括选自聚羟基苯乙烯、酚醛清漆、多芳基酯 及聚甲基丙烯酸甲酯之其他聚合物。 13.如申请专利范围第12项之组合物,其中其他聚合 物之含量系少于总固体之50重量%。 14.如申请专利范围第1项之组合物,其中该组合物 另包括选自均化剂、染料及黏附促进剂之添加剂 15.根据申请专利范围第1项之组合物,其系用于一 种物件中,该物件系包括具有一层由该组合物制成 之抗反射性涂层,其上并包括非芳族聚合物、光活 性化合物及光阻溶剂之光阻层。 16.一种形成图像之方法,其包括 a)以如申请专利范围第1项之抗反射性涂层组合物 镀敷及烧固在基底上; b)将光阻膜涂覆及烧固在此抗反射性涂层上面; c)以图像法照射该光阻; d)于光阻上显像; e)照射步骤之后,选择性地烧固基底。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该光阻包括 非芳族高分子、光活性化合物及光阻材料溶剂。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该抗反射性 涂层系在高于90℃之温度烧固。 |
